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單項(xiàng)選擇題 如圖所示，設(shè)D₁、D₂為理想二極管，試求V_o=？（）

A.1V
B.2V
C.3V
D.4V
E.5V

1.單項(xiàng)選擇題下列有關(guān)半導(dǎo)體之?dāng)⑹?，何者錯(cuò)誤？（）

A.外質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性較本質(zhì)半導(dǎo)體好
B.N型半導(dǎo)體的多數(shù)載子為電洞
C.P型半導(dǎo)體加入的雜質(zhì)為受體
D.N型半導(dǎo)體加入的雜質(zhì)為五價(jià)元素

2.單項(xiàng)選擇題PN半導(dǎo)體加逆向偏壓時(shí)會(huì)有些許電流產(chǎn)生，乃是因?yàn)椋ǎ┧?

A.正離子
B.負(fù)離子
C.少數(shù)載子
D.多數(shù)載子

3.單項(xiàng)選擇題當(dāng)逆向偏壓從10V減少到5V時(shí)，二極管接面的空乏區(qū)將（）

A.變小
B.變大
C.不受影響
D.崩潰

4.單項(xiàng)選擇題三價(jià)雜質(zhì)加到硅形成（）

A.鍺
B.P型半導(dǎo)體
C.N型半導(dǎo)體
D.空乏區(qū)

5.單項(xiàng)選擇題當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體接觸時(shí)，即會(huì)產(chǎn)生一空乏層，而P型半導(dǎo)體之空乏層內(nèi)應(yīng)有（）

A.電洞
B.電子
C.正離子
D.負(fù)離子