反饋電路如圖所示（a）、（b）且滿足深度負反饋的條件，判斷其反饋類型并用近似估算法分別估算它們的電壓放大倍數(shù)。

在圖中，已知R_b1=300KΩ，R_c1=2KΩ，R_b2=200KΩ，R_e=2KΩ，R_L=2KΩ，I_E2=2.2mA，
β₁=β₂=60。求：
（1）第一級的靜態(tài)工作點；
（2）放大器的輸入電阻和輸出電阻；
（3）總的電壓放大倍數(shù)。
 

電路如圖（a）所示，其中電容C₁、C₂的容量視為無限大。試回答下列問題：
（1）寫出直流負載線表達式，在圖（b）上畫出直流負載線，求出靜態(tài)工作點（I_CQ，V_CEQ，I_BQ）；
（2）畫出放大電路的微變等效電路；
（3）求出電壓增益、輸入電阻R_i及輸出電阻R_o。

電路如圖所示，已知晶體管β＝50，在下列情況下，用直流電壓表測晶體管的集電極電位，應分別為多少？設V_CC＝12V，晶體管飽和管壓降V_CES＝0.5V。
（1）、正常情況；
（2）、R_b1短路；
（3）、R_b1開路；
（4）、R_b2開路；
（5）、R_C短路。

電路如圖，已知β=50，r_bb’=200Ω，V_BEQ=0.7V，V_CC=12V，R_b=570kΩ，R_c=4kΩ，R_L=4kΩ。
（1）、估算電路的靜態(tài)工作點：I_BQ，I_CQ，V_CEQ；
（2）、計算交流參數(shù)A_V、R_i、R_o值；
（3）、如輸出電壓信號產生頂部失真，是截止失真
還是飽和失真，應調整那個元件值，如何調？
（4）、請簡要說明環(huán)境溫度變化對該電路靜態(tài)工作點的影響。