A.場(chǎng)管比IGBT頻率高
B.IGBT比場(chǎng)管導(dǎo)通壓降低
C.單支IGBT的 功率容量比場(chǎng)管容量大
D.IGBT的開(kāi)關(guān)損耗比場(chǎng)管大
E.IGBT 適合低于20KHZ的逆變電路,場(chǎng)管適合200KHZ以下的逆變電路
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D.IGBT的開(kāi)關(guān)損耗比場(chǎng)管大
E.IGBT 適合低于20KHZ的逆變電路,場(chǎng)管適合200KHZ以下的逆變電路
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