A.波陣面的幾何形狀
B.材料的晶粒度
C.材料的粘滯性
D.以上全部
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A、一樣
B、傳播橫波時(shí)大
C、傳播縱波時(shí)大
D、以上a和b
A、鈦酸鋇(Tc=115°)
B、PZT-5(Tc=365°)
C、鈮酸鋰(Tc=1200°)
D、硫酸鋰(Tc=75°)
A、激勵(lì)電脈沖的寬度
B、發(fā)射電路阻尼電阻的大小
C、晶片材料和厚度
D、晶片的機(jī)電耦合系數(shù)
A、等于入射角的1/4
B、等于入射角
C、縱波反射角>橫波反射角
D、b和c
A、密度
B、彈性模量
C、泊松比
D、以上全部
最新試題
對(duì)于直徑Φ50mm導(dǎo)管環(huán)焊縫,采用的透照方式為()。
在射線照相檢驗(yàn)中,隨著射線能量的提高,得到的圖像不清晰度也將增大。
超差缺陷是否排除,由缺陷挖排人員挖排后直接提出申請(qǐng)、檢驗(yàn)蓋章認(rèn)可后送X光檢測(cè)。
像質(zhì)計(jì)放置次數(shù)一般應(yīng)與透照次數(shù)相同,相同部位、相同的透照條件連續(xù)透照時(shí)可適當(dāng)減少放置次數(shù).但不少于透照次數(shù)的三分之一。
送檢產(chǎn)品工序狀態(tài)及表面質(zhì)量應(yīng)符合工藝規(guī)程或工藝處理意見(jiàn)的要求,經(jīng)表面檢驗(yàn)合格,申請(qǐng)單無(wú)需檢驗(yàn)蓋章確認(rèn)。
點(diǎn)焊未熔合、脫焊等面狀缺陷最有效的檢測(cè)方法是X射線檢測(cè)。
下面給出的射線檢測(cè)基本原理中,正確的是()。
對(duì)含有內(nèi)穿過(guò)式線圈的薄壁管,影響其阻抗變化的因素有()
補(bǔ)焊次數(shù)的界定由工藝、檢驗(yàn)負(fù)責(zé),對(duì)兩個(gè)補(bǔ)焊區(qū)交界部位補(bǔ)焊次數(shù)的界定,需要通過(guò)底片觀察提供幫助時(shí),X光室應(yīng)予以配合。
一次完整的兩面多層補(bǔ)焊,當(dāng)正面打底層質(zhì)量進(jìn)行過(guò)一次X射線檢測(cè),若反面還需打底,則無(wú)需X射線檢測(cè)。