A、探傷類型
B、晶片背襯的致密性
C、頻率和晶片尺寸
D、脈沖寬度
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A、能改善指向性
B、使聲束入射角保持不變
C、能提高信噪比
D、以上都是
A、管子內(nèi)外表面
B、內(nèi)表面
C、外表面
D、從內(nèi)表面到壁厚的二分之一深度
A、1/4波長(zhǎng)的奇數(shù)倍
B、1/2波長(zhǎng)
C、1個(gè)波長(zhǎng)
D、1/2波長(zhǎng)的奇數(shù)倍
A、減小水距
B、增大探頭直徑
C、減小反射體
D、降低試驗(yàn)頻率
A、石英
B、硫酸鋰
C、鈦酸鋇
D、偏鈮酸鉛
最新試題
對(duì)于圓柱導(dǎo)體的外通過(guò)式線圈,其阻抗變大的情況有()
像質(zhì)計(jì)放置次數(shù)一般應(yīng)與透照次數(shù)相同,相同部位、相同的透照條件連續(xù)透照時(shí)可適當(dāng)減少放置次數(shù).但不少于透照次數(shù)的三分之一。
送檢產(chǎn)品工序狀態(tài)及表面質(zhì)量應(yīng)符合工藝規(guī)程或工藝處理意見(jiàn)的要求,經(jīng)表面檢驗(yàn)合格,申請(qǐng)單無(wú)需檢驗(yàn)蓋章確認(rèn)。
一次完整的兩面多層補(bǔ)焊,當(dāng)正面打底層質(zhì)量進(jìn)行過(guò)一次X射線檢測(cè),若反面還需打底,則無(wú)需X射線檢測(cè)。
一次完整的補(bǔ)焊過(guò)程中缺陷是否排除X光透照確認(rèn)可以不限次數(shù),直至缺陷完全排除。
提出有效磁導(dǎo)率的是下列哪位科學(xué)家()
下面給出的射線檢測(cè)基本原理中,正確的是()。
底片圖像質(zhì)量參數(shù)中的顆粒度與膠片的粒度是同一概念。
焊接工藝處理超標(biāo)缺陷必須閱片的主要目的是()。
對(duì)含有內(nèi)穿過(guò)式線圈的薄壁管,影響其阻抗變化的因素有()