A、射源至底片的距離
B、曝光時(shí)間
C、KV
D、mA
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A、第一次較易檢出缺陷
B、第二次較易檢出缺陷
C、對(duì)于缺陷檢出力無(wú)法比較
D、以上都對(duì)
A、8.5英寸底片三張,雙壁照相單壁看片
B、8.5英寸底片兩張,雙壁照相雙壁看片
C、8.5英寸底片四張,雙壁照相單壁看片
D、12英寸底片三張,雙壁照相單壁看片
A、橢圓投影,至少相隔90°兩次照像,雙壁看片
B、橢圓投影,至少相隔180°兩次照像,雙壁看片
C、一次橢圓投影,雙壁看片
D、以上都可以
A、將會(huì)產(chǎn)生相同強(qiáng)度與品質(zhì)的輻射線
B、將會(huì)產(chǎn)生相同強(qiáng)度、品質(zhì)不同的輻射線
C、將會(huì)產(chǎn)生不同強(qiáng)度、相同品質(zhì)的輻射線
D、輻射強(qiáng)度與品質(zhì)均不同
A、射線管
B、變壓器
C、接頭和控制裝置
D、以上都是
最新試題
在射線照相時(shí),像質(zhì)計(jì)應(yīng)放置在()
感應(yīng)電流法磁化工件主要采用()
采用X射線機(jī)對(duì)某一工件探傷時(shí),焦距為1m,曝光時(shí)間為6min,其余條件均不變,曝光時(shí)間改為3min時(shí)透照焦距應(yīng)改為()
直射法探傷時(shí)試件的探測(cè)面應(yīng)選在與缺陷最大表面()
超聲縱波以590000cm/s的速度穿過(guò)29.5mm厚的工件,所需時(shí)間為()
關(guān)于近場(chǎng)長(zhǎng)度的說(shuō)法,正確的是()
關(guān)于圓晶片輻射的超聲波,下列說(shuō)法正確的是()(S為傳播距離,N為近場(chǎng)長(zhǎng)度)。
選擇滲透探傷方法時(shí),對(duì)于疲勞裂紋、磨削裂紋及其它微小裂紋應(yīng)優(yōu)先選用()
一般來(lái)說(shuō),對(duì)薄工件焊縫的超聲波探傷選用大折射角探頭可以()
脈沖反射法A型顯示取得缺陷信息是根據(jù)()