A.X射線、γ射線和中子射線
B.α射線、β射線和γ射線
C.X射線、γ射線和β射線
D.X射線、γ射線和α射線
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A.電荷
B.質(zhì)量
C.自旋
D.半衰期
A.中子數(shù)
B.原子序數(shù)
C.光子數(shù)
D.原子量
A.質(zhì)子
B.中子
C.電子
D.光子
A.光電效應(yīng)
B.湯姆遜效應(yīng)
C.康普頓效應(yīng)
D.電子對(duì)效應(yīng)
A.鈷—60
B.銥—192
C.鈾—235
D.碳—14
最新試題
底片圖像質(zhì)量參數(shù)中的顆粒度與膠片的粒度是同一概念。
X射線探傷室應(yīng)建立健全輻射安全管理制度及應(yīng)急預(yù)案。
二次打底焊接或重熔排除,無需辦理相關(guān)手續(xù),直接使用前次的申請(qǐng)手續(xù)。
X射線檢驗(yàn)人員負(fù)責(zé)對(duì)需排除的超標(biāo)缺陷實(shí)施定位、做好相應(yīng)標(biāo)注,確保定位準(zhǔn)確。
底片或電子圖片、X射線照相檢驗(yàn)記錄、射線檢測(cè)報(bào)告副本、檢測(cè)報(bào)告等及臺(tái)帳由X光透視人員負(fù)責(zé)管理。
對(duì)于厚度變化較大的變截面工件透照,只要底片黑度符合GJB1187A的要求時(shí),就可采用多膠片技術(shù)。
在射線照相檢驗(yàn)中,隨著射線能量的提高,得到的圖像不清晰度也將增大。
對(duì)含有內(nèi)穿過式線圈的薄壁管,影響其阻抗變化的因素有()
點(diǎn)焊未熔合、脫焊等面狀缺陷最有效的檢測(cè)方法是X射線檢測(cè)。
檢測(cè)申請(qǐng)時(shí)工序狀態(tài)應(yīng)清楚、工序質(zhì)量應(yīng)符合工序質(zhì)量要求,檢驗(yàn)蓋章確認(rèn),確保焊接、檢驗(yàn)、檢測(cè)等全過程具有可追溯性。