單項(xiàng)選擇題對于大多數(shù)結(jié)晶物系，晶體成長的控制步驟為（）。

A.擴(kuò)散過程
B.表面反應(yīng)過程
C.傳熱過程
D.3個(gè)過程共同控制


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1.單項(xiàng)選擇題建設(shè)方案設(shè)計(jì)過程中，對建設(shè)方案進(jìn)行多方案的分析和比選，同時(shí)應(yīng)結(jié)合（）進(jìn)行。

A.建設(shè)規(guī)模與產(chǎn)品方案
B.工藝技術(shù)方案
C.國家政策法規(guī)和各地地方性法規(guī)
D.總圖運(yùn)輸方案

2.單項(xiàng)選擇題晶習(xí)是指（）。

A.一定環(huán)境中晶體外部形態(tài)
B.晶體的物理性質(zhì)
C.晶體的化學(xué)組成
D.是上述三者的綜合

3.單項(xiàng)選擇題吸附操作常用來分離或純化吸附質(zhì)含量（）的流體混合物。

A.較高
B.中等
C.較低
D.任何值

5.單項(xiàng)選擇題關(guān)于給水系統(tǒng)的布置形式.正確的論述是（）。

A.統(tǒng)一給水系統(tǒng)造價(jià)低，應(yīng)用最廣泛
B.分質(zhì)給水系統(tǒng)水處理費(fèi)用低，管網(wǎng)的造價(jià)低
C.分壓給水系統(tǒng)的水泵型號單一，長期運(yùn)行電費(fèi)較高
D.分區(qū)給水系統(tǒng)應(yīng)用最廣