爐溫（爐上、爐下）、炭層高度（空程）、氣體成份、灰渣數(shù)量及質(zhì)量、氣柜高度、氣化層位置。
三氧化二鋁、二氧化硅高了灰熔點(diǎn)高，三氧化二鐵、氧化鎂、氧化鈣高了灰熔點(diǎn)低。
主要成份是：三氧化二鋁、二氧化硅、三氧化二鐵、氧化鎂、氧化鈣
最新試題
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