單項(xiàng)選擇題Ge三極管的死區(qū)電壓及UBE的值分別為（）
A.0.3V 0.5V
B.0.2V 0.3V
C.0.5V 0.7V
D.0.7V 0.7V
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1.單項(xiàng)選擇題有關(guān)三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，以下說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）
A.三個(gè)區(qū)，兩個(gè)PN結(jié)，三個(gè)電極
B.基區(qū)薄，摻雜低
C.發(fā)射結(jié)面積大
D.發(fā)射區(qū)摻雜濃度高
2.單項(xiàng)選擇題工作在放大區(qū)的某晶體管，當(dāng)IB從20μA增大至40μA時(shí)，IC從1mA變?yōu)?mA，則它的β值約為（）。
A.10
B.50
C.100
D.500
3.單項(xiàng)選擇題測(cè)得晶體管IB=30μA時(shí)，IC=2.4mA，IB=40μA時(shí)IC=3mA，則該管的交流放大系數(shù)為（）。
A.60
B.70
C.80
D.90
4.單項(xiàng)選擇題某PNP型晶體管的發(fā)射極電流等于1mA，基極電流等于20μA，則它的集電極電流等于（）mA。
A.0.98
B.1.02
C.0.8
D.1.2
5.單項(xiàng)選擇題某NPN型晶體管的集電極電流等于1mA，基極電流等于20μA，則它的發(fā)射極電流等于（）mA。
A.0.98
B.1.02
C.0.8
D.1.2
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對(duì)于半導(dǎo)體材料，隨溫度升高：（）
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與變壓器耦合放大器相比，RC耦合放大器具有（）的特點(diǎn)。
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