單項(xiàng)選擇題集成運(yùn)放的開環(huán)電壓增益非常高，這些參數(shù)接近理想化的程度。（）

A、輸入電阻很大，輸出電阻很小
B、輸入電阻輸出電阻均很大
C、輸入電阻很小，輸出電阻很大
D、輸入電阻輸出電阻均很小


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1.單項(xiàng)選擇題場(chǎng)效應(yīng)晶體管根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為兩大類，它們的類型和簡(jiǎn)稱是（）

A、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱JFET
B、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱JFET
C、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管JGFET
D、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管JGFET

2.單項(xiàng)選擇題場(chǎng)效應(yīng)晶體管與晶體三極管比較，其突出優(yōu)點(diǎn)是（）

A.噪聲低、輸入阻抗低
B.熱穩(wěn)定性好、輸入阻抗低
C.噪聲低、輸入阻抗高
D.噪聲低、熱穩(wěn)定性差

3.單項(xiàng)選擇題絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為（）

A、P溝道增強(qiáng)型效應(yīng)晶體管和N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
B、增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管和耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
C、N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
D、N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P溝道絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管

4.單項(xiàng)選擇題結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為（）

A、P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
B、P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
C、N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
D、N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P溝道型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管

5.單項(xiàng)選擇題直接耦合多級(jí)放器存在現(xiàn)象（）。

A、只能通高頻信號(hào)
B、零點(diǎn)漂移
C、只能通直流信號(hào)
D、只能通交流信號(hào)