問(wèn)答題現(xiàn)有（1024B×4）RAM集成芯片一個(gè)，該RAM有多少個(gè)存儲(chǔ)單元？有多少條地址線？該RAM含有多少個(gè)字？其字長(zhǎng)是多少位？訪問(wèn)該RAM時(shí)，每次會(huì)選中幾個(gè)存儲(chǔ)單元？
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1.單項(xiàng)選擇題在讀寫(xiě)的同時(shí)還需要不斷進(jìn)行數(shù)據(jù)刷新的是（）存儲(chǔ)單元。
A、動(dòng)態(tài)
B、靜態(tài)
2.單項(xiàng)選擇題利用雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器存儲(chǔ)信息的RAM叫（）RAM。
A、動(dòng)態(tài)
B、靜態(tài)
3.單項(xiàng)選擇題動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元是靠（）的功能來(lái)保存和記憶信息的。
A、自保持
B、柵極存儲(chǔ)電荷
4.單項(xiàng)選擇題一片容量為1024字節(jié)×4位的存儲(chǔ)器，表示有（）個(gè)存儲(chǔ)單元。
A、1024
B、4
C、4096
D、8
5.單項(xiàng)選擇題利用電容的充電來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，由于電路本身總有漏電，因此需定期不斷補(bǔ)充充電（刷新）才能保持其存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的是（）
A、靜態(tài)RAM的存儲(chǔ)單元
B、動(dòng)態(tài)RAM的存儲(chǔ)單元
最新試題
為了提高感性負(fù)載正弦穩(wěn)態(tài)交流電路中總電路的功率因數(shù)，可以采取的措施為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
關(guān)于電路模型，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的一項(xiàng)是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
流過(guò)電容的電流與（）成正比。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在單級(jí)共射極放大電路中，如輸入波形為正弦波，而輸出電壓波形則出現(xiàn)了底部被削平的現(xiàn)象，這種失真是（）失真。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
關(guān)于節(jié)點(diǎn)分析法，下列描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
關(guān)于電壓源和電流源，下列描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
?關(guān)于正弦波振蕩電路，下列表述不合適的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
關(guān)于電阻元件，下列描述正確的一項(xiàng)是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
一階動(dòng)態(tài)電路中，下列關(guān)于換路定則表述最合理的一項(xiàng)是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
電路如圖所示，其功能是方波發(fā)生器，其中R和C的作用為（）。
題型：多項(xiàng)選擇題