單項選擇題電力MOSFET不存在二次擊穿的問題，是由于（）決定了電力MOSFET的安全工作區(qū)。

A.漏源間的耐壓，漏極最大允許電流和最大耗散功率
B.漏極連續(xù)電流
C.柵源極擊穿電壓
D.漏極峰值電壓


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1.單項選擇題關(guān)于二次擊穿，下列說法錯誤的是（）

A.二次擊穿是造成GTR突然損壞或早期失效的重要原因
B.在電感性負載和大電流開關(guān)電路中，二次擊穿不是晶體管毀壞的主要因素
C.二次擊穿已成為影響電力晶體管安全使用和可靠性的重要因素
D.一旦發(fā)生二次擊穿，就有可能是晶體管收到永久性損壞。

2.單項選擇題目前常用的電力晶體管器件有（）

A.單管GTR
B.GTO
C.光控晶閘管
D.逆導(dǎo)晶閘管

3.單項選擇題下面關(guān)于GTO晶閘管的主要參數(shù)說法錯誤的是（）

A.GTO的最大陽極電流不是一個固定的數(shù)值；
B.關(guān)斷增益高是GTC晶閘管的一個主要特點；
C.陽極尖峰電壓是在“下降時間末尾出現(xiàn)的極值電壓：
D.GTO的維持電流指陽極電流減小到開始出現(xiàn)GTO不能再維持導(dǎo)通的數(shù)值

4.單項選擇題晶閘管的其他參數(shù)不包括（）

A.維持電流
B.斷態(tài)電壓臨界上升率
C.通態(tài)平均電壓
D.通態(tài)電流臨界上70%的

5.單項選擇題晶閘管的主要參數(shù)不包括（）

A.額定電壓
B.額定電流
C.維持電流
D.通態(tài)平均電壓