A.發(fā)現(xiàn)試件中渦流變化
B.在試件中激勵(lì)出渦流
C.發(fā)現(xiàn)試件中的分子磁矩
D.激勵(lì)出試件磁疇
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A.激勵(lì)渦流和放大信號(hào)
B.檢測(cè)并放大信號(hào)
C.激勵(lì)渦流和檢測(cè)信號(hào)
D.檢測(cè)并處理信號(hào)
A.匝數(shù)
B.激勵(lì)頻率
C.線圈電感
D.以上三項(xiàng)全是
A.ωL
B.2πωL
C.2πfL
D.A和C
A.線圈的電壓
B.線圈的電流
C.線圈的導(dǎo)納
D.空心線圈的電抗
A.測(cè)量繞組阻抗
B.測(cè)量繞組線徑
C.激勵(lì)磁場(chǎng)強(qiáng)度
D.激勵(lì)繞組形狀
最新試題
X射線檢驗(yàn)人員負(fù)責(zé)對(duì)需排除的超標(biāo)缺陷實(shí)施定位、做好相應(yīng)標(biāo)注,確保定位準(zhǔn)確。
超差缺陷是否排除,由缺陷挖排人員挖排后直接提出申請(qǐng)、檢驗(yàn)蓋章認(rèn)可后送X光檢測(cè)。
底片圖像質(zhì)量參數(shù)中的顆粒度與膠片的粒度是同一概念。
提出有效磁導(dǎo)率的是下列哪位科學(xué)家()
點(diǎn)焊未熔合、脫焊等面狀缺陷最有效的檢測(cè)方法是X射線檢測(cè)。
射線檢測(cè)最有害的危險(xiǎn)源是(),必須嚴(yán)加控制。
廢舊藥液應(yīng)采用專用容器收集,定期送指定的機(jī)構(gòu)處理。
X光檢驗(yàn)組按復(fù)查清單組織復(fù)查,并出具X光底片復(fù)查報(bào)告,復(fù)查無(wú)遺留問(wèn)題方可進(jìn)行試壓。
二次打底焊接或重熔排除,無(wú)需辦理相關(guān)手續(xù),直接使用前次的申請(qǐng)手續(xù)。
像質(zhì)計(jì)放置次數(shù)一般應(yīng)與透照次數(shù)相同,相同部位、相同的透照條件連續(xù)透照時(shí)可適當(dāng)減少放置次數(shù).但不少于透照次數(shù)的三分之一。