A.薄膜晶體管技術(shù)
B.光敏照相機(jī)技術(shù)
C.光電倍增管技術(shù)
D.光激勵(lì)發(fā)光技術(shù)
E.非晶硒技術(shù)
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A.Ⅱ+TV攝像機(jī)
B.成像板
C.閃爍體+CCD攝像機(jī)陣列
D.直接轉(zhuǎn)換平板探測器
E.間接轉(zhuǎn)換平板探測器
A.硒鼓檢測器
B.IP成像轉(zhuǎn)換器
C.直接轉(zhuǎn)換平板探測器
D.間接轉(zhuǎn)換平板探測器
E.多絲正比室檢測器
A.成像方式
B.操作方式
C.床旁攝影
D.可應(yīng)用于常規(guī)攝影
E.與常規(guī)X線設(shè)備匹配
A.圖像存儲
B.成像能源
C.轉(zhuǎn)換介質(zhì)
D.成像方式
E.傳輸方式
A.有直接轉(zhuǎn)換型和間接轉(zhuǎn)換型
B.其極限分辨率比屏／片系統(tǒng)低
C.其MTF比屏／片系統(tǒng)低
D.其DQE比屏／片系統(tǒng)高
E.DQE比CR系統(tǒng)高
最新試題
光激勵(lì)熒光體中，為改變熒光體的結(jié)構(gòu)和物理特性常摻入（）
KonicaCR系統(tǒng)照射量1mR時(shí)對應(yīng)的S值為200，2mR對應(yīng)的S值是（）
間接DR中，位于FPD頂層的是（）
CR與DR系統(tǒng)應(yīng)用比較，相同點(diǎn)是（）
透過被照體的X線照射到平板探測器的非晶硒層時(shí)，由于非晶硒的導(dǎo)電特性被激發(fā)出電子-空穴對，即一對正負(fù)電子。該電子-空穴對在外加偏置電壓形成的電場作用下被分離并反向運(yùn)動(dòng)，負(fù)電子跑向偏壓的正極，正電子跑向偏壓的負(fù)極，于是形成電流。電流的大小與入射X線光子的數(shù)量成正比，這些電流信號被存儲在TFT的極間電容上。每個(gè)TFT形成一個(gè)采集圖像的最小單元，即像素。每個(gè)像素區(qū)內(nèi)有一個(gè)場效應(yīng)管，在讀出該像素單元電信號時(shí)起開關(guān)作用。在讀出控制信號的控制下，開關(guān)導(dǎo)通，把存儲于電容內(nèi)的像素信號逐一按順序讀出、放大，送到A/D轉(zhuǎn)換器，從而將對應(yīng)的像素電荷轉(zhuǎn)化為數(shù)字化圖像信號。關(guān)于該平板探測器的敘述錯(cuò)誤的是（）
直接平板探測器的線性度范圍是（）
CR圖像處理不包括（）
關(guān)于CR的工作原理，正確的是（）
直接數(shù)字化X射線攝影，硒物質(zhì)直接轉(zhuǎn)換技術(shù)X射線的吸收率高于間接轉(zhuǎn)換技術(shù)（）
關(guān)于CR攝影系統(tǒng)的影像板，以下說法不正確的是（）