A.平方反比規(guī)律
B.指數(shù)規(guī)律
C.算術(shù)級(jí)數(shù)
D.幾何級(jí)數(shù)
E.高斯級(jí)數(shù)
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A.20kV低能X線
B.30kV低能X線
C.鈷γ線或高能X線
D.高能電子線
E.以上任意一種射線均可
A.10~30keV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30keV~25MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
B.10~30keV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30keV~25MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
C.10~30keV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30keV~25MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
D.10~30keV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30keV~25MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
E.10~30keV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30keV~25MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
A.對(duì)低能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì),康普頓效應(yīng)為主
B.對(duì)中能γ線和原子序數(shù)低的物質(zhì),光電效應(yīng)為主
C.對(duì)低能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì),電子對(duì)效應(yīng)為主
D.對(duì)低能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì),光電效應(yīng)為主
E.對(duì)高能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì),康普頓效應(yīng)為主
A.是光子在原子核外電子作用下轉(zhuǎn)化為一個(gè)反沖電子和一個(gè)負(fù)電子的過程
B.是光子在原子核外電子作用下轉(zhuǎn)化為一個(gè)正電子和一個(gè)負(fù)電子的過程
C.是光子在原子核庫(kù)侖場(chǎng)作用下轉(zhuǎn)化為一個(gè)反沖電子和一個(gè)負(fù)電子的過程
D.是光子在原子核庫(kù)侖場(chǎng)作用下轉(zhuǎn)化為一個(gè)正電子和一個(gè)負(fù)電子的過程
E.是光子在原子核庫(kù)侖場(chǎng)作用下轉(zhuǎn)化為兩個(gè)電子的過程
A.125keV
B.200keV
C.250keV
D.350keV
E.511keV
最新試題
使用高能電子束照射時(shí),其PDD隨射野面積變化的關(guān)系是()
高能電子線等劑量線分布的顯著特點(diǎn)是()
下列關(guān)于光電效應(yīng)的說法哪一種是正確的()
高能電子束的PDD曲線可大致分為()
下列關(guān)于電子線的射程的說法哪一種是正確的()
放療機(jī)房屏蔽設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)當(dāng)考慮的因素()
當(dāng)使用電子線照射時(shí),下列方式正確的是()
射野擋鉛一般具有能夠?qū)⑾鄳?yīng)能量的射線衰減95%的厚度,其厚度應(yīng)該為()
治療室屏蔽設(shè)計(jì)考慮的因素有()
60鈷放射源的衰變遵從指數(shù)衰變定律,其半衰期是5.27年(每月衰減約1.1%),一個(gè)5000Ci的源兩年后會(huì)衰減到()