A.2V
B.4V
C.5V
D.7V
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A.高斯／平方公分是磁通密度單位
B.牛頓／庫侖是電場(chǎng)強(qiáng)度單位
C.焦耳是能量單位
D.庫侖／平方公尺是電通密度的單位
A.1Wb/m2=1Gauss
B.1Tesla=103Gauss
C.1Wb/m2=104Tesla
D.1Tesla=104Gauss
A.0.52H
B.0.54H
C.0.48H
D.0.46H
A.產(chǎn)生同方向之磁場(chǎng)以阻止磁通減少
B.產(chǎn)生同方向之磁碭以反抗磁通之增加
C.產(chǎn)生反方向之磁場(chǎng)以阻止磁通之減少
D.產(chǎn)生反方向之磁場(chǎng)以反抗磁通之增加
如圖
所示電路，求a、b兩端的總電感Lab=（）
A.3H
B.4H
C.5H
D.6H
最新試題
?帶通濾波器的品質(zhì)因數(shù)Q取決于（）。
如圖所示電路中，二極管都是理想的，則電壓Uab=（）V。
為了提高感性負(fù)載正弦穩(wěn)態(tài)交流電路中總電路的功率因數(shù)，可以采取的措施為（）。
?電路如圖所示，已知R為一個(gè)0.5k~100kΩ的可調(diào)電位器，要求Avd在1~100.5V/V范圍內(nèi)變化，假設(shè)第2級(jí)增益為0.5V/V，則（）。
在RLC的并聯(lián)諧振電路中，（）最大，（）最小。
?與單門限比較器相比，以下對(duì)遲滯比較器的描述不合理的是（）。
在分析阻容耦合式放大電路過程中，畫直流通路通路時(shí)，電容應(yīng)作（）處理。
關(guān)于基爾霍夫電流定律（KCL），下列描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是（）。
關(guān)于電阻元件，下列描述正確的一項(xiàng)是（）。
?下列對(duì)集成運(yùn)放失調(diào)參數(shù)描述合理的是（）。