單項(xiàng)選擇題整個(gè)P型半導(dǎo)體是呈現(xiàn)()
A.負(fù)電性
B.正電性
C.電中性
D.視雜質(zhì)原子序而定
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1.單項(xiàng)選擇題擴(kuò)散電流的產(chǎn)生,是因?yàn)椋ǎ?/a>
A.半導(dǎo)體內(nèi)載子濃度不均
B.半導(dǎo)體內(nèi)出現(xiàn)外加電壓
C.半導(dǎo)體內(nèi)出現(xiàn)溫度差
D.半導(dǎo)體內(nèi)出現(xiàn)電差
2.單項(xiàng)選擇題在硅晶體中,欲使電子從共價(jià)鍵中釋放出來而成自由電子,至少需要多少能量?()
A.0.45eV
B.0.72eV
C.1.1eV
D.1.6eV
3.單項(xiàng)選擇題
如圖所示,當(dāng)Vin為12V時(shí),則輸出Vout為?()
A.12V
B.5.8V
C.5.1V
D.4.8V
4.單項(xiàng)選擇題
如圖所示,若稽納二極管的崩潰電壓為9V,則輸出電壓Vo為何?()
A.12V
B.9V
C.6V
D.1V
5.單項(xiàng)選擇題一般二極管可應(yīng)用在下列何種功能?()
A.整流
B.截波
C.箝位
D.以上皆是
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下列關(guān)于與門電路(AND Gate)的描述中,哪一項(xiàng)是正確的?()
題型:單項(xiàng)選擇題
TTL反相器的主要特點(diǎn)是什么?()
題型:單項(xiàng)選擇題
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題型:單項(xiàng)選擇題
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題型:單項(xiàng)選擇題
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題型:單項(xiàng)選擇題
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題型:單項(xiàng)選擇題
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題型:單項(xiàng)選擇題
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題型:單項(xiàng)選擇題
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題型:單項(xiàng)選擇題