多項(xiàng)選擇題EMB5116 TD-LTE SCTE面板上包括以下哪幾個(gè)接口?()。

A.SSI
B.RCI
C.GE0
D.IMA


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1.多項(xiàng)選擇題下列哪個(gè)或哪幾個(gè)不是EMB5116 TD-LTE的板卡?()

A.SCTE
B.ETPE
C.GEU
D.BPIA

2.多項(xiàng)選擇題基帶處理單元的功能有()。

A.實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)Ir接口
B.實(shí)現(xiàn)TD-LTE的MAC算法
C.實(shí)現(xiàn)TD-LTE物理層算法
D.實(shí)現(xiàn)EMB5116 TD-LTE的時(shí)鐘和同步碼流分發(fā)

3.單項(xiàng)選擇題EMB5116 TD-LTE主設(shè)備Ir接口使用的光模塊為()。

A.155Mbps
B.2.5Gbps
C.5Gbps
D.6Gbps

4.單項(xiàng)選擇題TDRU342E每通道的輸出功率為()。

A.20W
B.30W
C.40W
D.50W

5.單項(xiàng)選擇題EMB5116 TD-LTE基站的高度為()。

A.1U
B.2U
C.3U
D.4U

最新試題

未存儲(chǔ)E-UTRA載波信息時(shí),UE將進(jìn)行()搜索。

題型:填空題

在進(jìn)行更換或互換單板時(shí),一定要在()或()進(jìn)行,盡量減少對(duì)正常業(yè)務(wù)的影響。

題型:填空題

切換過(guò)程可以采用競(jìng)爭(zhēng)接入過(guò)程也可以采用()接入過(guò)程。

題型:填空題

基站的噪聲系數(shù)一般為()dB,而終端一般為()dB。

題型:填空題

所謂網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化,就是根據(jù)系統(tǒng)的()和(),對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行分析,并通過(guò)對(duì)網(wǎng)絡(luò)資源和系統(tǒng)參數(shù)的調(diào)整,使系統(tǒng)性能逐步得到改善,達(dá)到系統(tǒng)現(xiàn)有配置條件下的最優(yōu)服務(wù)質(zhì)量。

題型:填空題

TD-LTE系統(tǒng)中,攜帶公共無(wú)線資源配置的系統(tǒng)消息是()。

題型:填空題

性能指標(biāo)如果發(fā)生突變,或者明顯不合理,很有可能是設(shè)備或()的問(wèn)題。

題型:填空題

PHICH的配置信息在PBCH信道中承載。()

題型:判斷題

TD-LTE系統(tǒng)中,MAC層實(shí)現(xiàn)邏輯信道到()信道的映射。

題型:填空題

TD-LTE系統(tǒng)EPC中,負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)承載并提供接入錨點(diǎn)的網(wǎng)元是()。

題型:填空題