A.覆蓋類指標(biāo)主要關(guān)注RSRP、RS-CINR、覆蓋率；
B.呼叫建立和保持類主要關(guān)注RRC連接建立成功率、E-RAB建立成功率、無線接通率、E-RAB建立阻塞率、RRC連接異常掉話率；
C.系統(tǒng)資源類指標(biāo)主要關(guān)注上下行誤塊率、上下行MAC層重傳率等；
D.移動(dòng)性管理類主要包括eNB內(nèi)切換成功率、X2口切換成功率、S1口切換成功率、系統(tǒng)間切換成功率（包含與GSM/WCDMA/TD/CDMA等系統(tǒng)的切換）、E-RAB掉話率。
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A.基站發(fā)射功率針對(duì)天線端口歸一化，沒有多天線增益的好處；
B.下行信道的覆蓋能力與MIMO天線相關(guān)性有關(guān)，天線間相關(guān)性越弱獲得的空間信道矩陣秩性能越好，可獲得的信噪比越高，覆蓋性能越好；
C.根據(jù)用戶數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)需求、QOS要求確定覆蓋目標(biāo)速率，資源配置多，則可采用低MCS等級(jí)，降低信噪比要求，上行可提高覆蓋能力；
D.資源配置多意味著帶寬增大，引起噪聲上升，對(duì)上行覆蓋影響需分析噪聲上升和解調(diào)門限要求降低哪個(gè)占據(jù)優(yōu)勢(shì)。
A.增加基站，增強(qiáng)覆蓋；
B.增加天線數(shù)，增強(qiáng)上行信號(hào)增益；
C.天線拉遠(yuǎn)，增強(qiáng)邊緣覆蓋；
D.增大導(dǎo)頻功率，增加下行小區(qū)覆蓋距離。
A.增加基站，減小下行小區(qū)覆蓋距離；
B.增加塔放，增加下行信號(hào)補(bǔ)償；
C.天線拉遠(yuǎn)，增強(qiáng)邊緣覆蓋；
D.增大導(dǎo)頻功率，增加下行小區(qū)覆蓋距離。
A.上行鏈路較差的表現(xiàn)就是RB縮到最小，上行MCS選擇0階，PHR已經(jīng)在0db以下，而且上行BLER較大不收斂，CRC校驗(yàn)解錯(cuò)的概率較高；
B.下行鏈路較差的表現(xiàn)為UE上報(bào)CQI較差或者網(wǎng)絡(luò)側(cè)HARQ收到大量來自UE側(cè)反饋的DTX和NACK；
C.上行受限指的是上行較差而下行還可以；下行受限指的是上行還可以而下行較差；
D.覆蓋空洞指的是上行鏈路或下行鏈路較差，無法正常進(jìn)行上行或者下行業(yè)務(wù)。
A.核心網(wǎng)異常；
B.無線資源申請(qǐng)失??；
C.GTP-U資源申請(qǐng)失敗；
D.鑒權(quán)失敗。
最新試題
對(duì)于節(jié)假日和重大活動(dòng)網(wǎng)絡(luò)保障，應(yīng)提前對(duì)eNB運(yùn)行溫度進(jìn)行巡檢——單板運(yùn)行溫度應(yīng)不高于60攝氏度，超過70攝氏度的應(yīng)列為（）處理。
TD-LTE系統(tǒng)中，進(jìn)行E-RAB建立時(shí)發(fā)起的RRC連接過程是（）過程。
TD-LTE系統(tǒng)中，RLC層不加頭的實(shí)體是（）模式實(shí)體。
標(biāo)準(zhǔn)級(jí)CDL文件記錄該基站上所有的信令過程，故障級(jí)CDL文件在標(biāo)準(zhǔn)級(jí)CDL文件記錄內(nèi)容的基礎(chǔ)上，還包括（）的消息。
PCI由（）和（）共同決定，共有（）個(gè)。
TD-LTE系統(tǒng)中，MAC層實(shí)現(xiàn)邏輯信道到（）信道的映射。
由性能閾值產(chǎn)生的告警為（）告警。
TD-LTE系統(tǒng)中，響應(yīng)尋呼的Service Request流程是在RRC層的（）狀態(tài)下發(fā)起的。
TD-LTE先對(duì)于TD-SCDMA系統(tǒng)的小區(qū)重選區(qū)別在于引入了（）。
為保證網(wǎng)絡(luò)的良好運(yùn)行，維護(hù)人員應(yīng)每周或每?jī)芍軐?duì)全網(wǎng)基站RRU通道狀態(tài)、RRU通道功率、駐波比、風(fēng)扇轉(zhuǎn)速、（）、光功率、（）等信息進(jìn)行巡檢。