A.SISD
B.SIMD
C.MISD
D.MIMD
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A.SISD
B.SIMD
C.MISD
D.MIMD
用作存儲器的芯片有不同的類型??呻S機(jī)讀寫,且只要不斷電則其中存儲的信息就可一直保存的,稱為(1);可隨機(jī)讀寫,但即使在不斷電的情況下其存儲信息也要定時(shí)刷新才不致丟失的是(2):所存信息由生產(chǎn)廠家用掩膜技術(shù)寫好后就無法再改變的稱為(3);通過紫外線照射后可擦除所有信息,然后重新寫入新的信息并可多次進(jìn)行的是(4);通過電信號可在數(shù)秒內(nèi)快速刪除全部信息,但不能進(jìn)行字節(jié)級別刪除操作的是(5)。
空白(5)處應(yīng)選擇()
A.EEPROM
B.FlashMemory
C.EPROM
D.VirtualMemory
用作存儲器的芯片有不同的類型??呻S機(jī)讀寫,且只要不斷電則其中存儲的信息就可一直保存的,稱為(1);可隨機(jī)讀寫,但即使在不斷電的情況下其存儲信息也要定時(shí)刷新才不致丟失的是(2):所存信息由生產(chǎn)廠家用掩膜技術(shù)寫好后就無法再改變的稱為(3);通過紫外線照射后可擦除所有信息,然后重新寫入新的信息并可多次進(jìn)行的是(4);通過電信號可在數(shù)秒內(nèi)快速刪除全部信息,但不能進(jìn)行字節(jié)級別刪除操作的是(5)。
空白(4)處應(yīng)選擇()
A.EPROM
B.PROM
C.ROM
D.CDROM
用作存儲器的芯片有不同的類型??呻S機(jī)讀寫,且只要不斷電則其中存儲的信息就可一直保存的,稱為(1);可隨機(jī)讀寫,但即使在不斷電的情況下其存儲信息也要定時(shí)刷新才不致丟失的是(2):所存信息由生產(chǎn)廠家用掩膜技術(shù)寫好后就無法再改變的稱為(3);通過紫外線照射后可擦除所有信息,然后重新寫入新的信息并可多次進(jìn)行的是(4);通過電信號可在數(shù)秒內(nèi)快速刪除全部信息,但不能進(jìn)行字節(jié)級別刪除操作的是(5)。
空白(3)處應(yīng)選擇()
A.EPROM
B.PROM
C.ROM
D.CDROM
用作存儲器的芯片有不同的類型??呻S機(jī)讀寫,且只要不斷電則其中存儲的信息就可一直保存的,稱為(1);可隨機(jī)讀寫,但即使在不斷電的情況下其存儲信息也要定時(shí)刷新才不致丟失的是(2):所存信息由生產(chǎn)廠家用掩膜技術(shù)寫好后就無法再改變的稱為(3);通過紫外線照射后可擦除所有信息,然后重新寫入新的信息并可多次進(jìn)行的是(4);通過電信號可在數(shù)秒內(nèi)快速刪除全部信息,但不能進(jìn)行字節(jié)級別刪除操作的是(5)。
空白(2)處應(yīng)選擇()
A.RAM
B.VRAM
C.DRAM
D.SRAM
最新試題
比較頁式虛擬存儲器和段式虛擬存儲器的優(yōu)缺點(diǎn)。
簡述多級存儲體系結(jié)構(gòu)的原理。
16位二進(jìn)制原碼所能表示的范圍為(),16位反碼所能表示的范圍為(),16位補(bǔ)碼所能表示的范圍為()。
空白(2)處應(yīng)選擇()
計(jì)算機(jī)一般采用三層存儲器層次結(jié)構(gòu),分別指()()和()。
空白(2)處應(yīng)選擇()
國標(biāo)碼用()字節(jié)表示一個(gè)漢字,如一個(gè)國標(biāo)碼為3274,那么它對應(yīng)的機(jī)內(nèi)碼為()。
3個(gè)可靠性為0.5的子系統(tǒng)組成串聯(lián)系統(tǒng)后可靠性是(),組成并聯(lián)系統(tǒng)后可靠性是()。
簡述使用直接內(nèi)存存取DMA傳輸數(shù)據(jù)的過程。
空白(2)處應(yīng)選擇()