單項(xiàng)選擇題關(guān)于P、N型半導(dǎo)體內(nèi)參與導(dǎo)電的介質(zhì),下列說法最為合適的是()。

A.自由電子、空穴、位于晶格上的離子
B.無(wú)論P(yáng)型還是N型半導(dǎo)體,自由電子、空穴都是導(dǎo)電介質(zhì)
C.對(duì)于P型半導(dǎo)體,空穴是唯一的導(dǎo)電介質(zhì)
D.對(duì)于N型半導(dǎo)體,空穴是唯一的導(dǎo)電介質(zhì)


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1.單項(xiàng)選擇題對(duì)于半導(dǎo)體材料,若(),導(dǎo)電能力減弱。

A.環(huán)境溫度降低
B.摻雜金屬元素
C.增大環(huán)境光照強(qiáng)度
D.摻雜非金屬元素

2.單項(xiàng)選擇題金屬導(dǎo)體的電阻率隨溫度升高而();半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力隨溫度升高而()。

A.升高/升高
B.降低/降低
C.升高/降低
D.降低/升高

3.單項(xiàng)選擇題關(guān)于N型半導(dǎo)體的下列說法,正確的是()。

A.只存在一種載流子:自由電子
B.在二極管中,N型半導(dǎo)體一側(cè)接出引線后,是二極管的正極
C.在純凈的硅襯底上,分散三價(jià)元素,可形成N型半導(dǎo)體
D.在PNP型的晶體管中,基區(qū)正是由N型半導(dǎo)體構(gòu)成

4.單項(xiàng)選擇題關(guān)于P型半導(dǎo)體的下列說法,錯(cuò)誤的是()。

A.空穴是多數(shù)載流子
B.在二極管中,P型半導(dǎo)體一側(cè)接出引線后,是二極管的正極
C.在純凈的硅襯底上,摻雜五價(jià)元素,可形成P型半導(dǎo)體
D.在NPN型的晶體管中,基區(qū)正是由P型半導(dǎo)體構(gòu)成

最新試題

在設(shè)計(jì)一燈光連續(xù)可調(diào)的交流照明臺(tái)燈(220V、45W)燈光調(diào)節(jié)裝置時(shí),為使整個(gè)裝置體積小、簡(jiǎn)單輕便、成本低、節(jié)能,下列幾種方案最優(yōu)的是()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

在三極管基本放大電路中,由于靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不合適而出現(xiàn)飽和失真。為了改善失真波形,方便的做法是應(yīng)()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

當(dāng)邏輯變量A=1、B=0、C=1時(shí),求邏輯函數(shù)的值為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)于單管共射極基本放大電路,若靜態(tài)工作點(diǎn)不合適,比較方便的做法是()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

可控硅導(dǎo)通的條件是()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

晶閘管關(guān)斷條件是()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

晶閘管導(dǎo)通后控制極電源線脫落,將產(chǎn)生的現(xiàn)象是()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

未引入負(fù)反饋的開環(huán)工作的運(yùn)放一般工作于()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

關(guān)于晶閘管的下列說法正確的是()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

在三極管共發(fā)射極放大電路中,如果基極偏置電流IB太大,將會(huì)產(chǎn)生非線性(),如果基極偏置電流IB太小,將會(huì)產(chǎn)生非線性()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題