A．R×100／防止過(guò)壓反響擊穿二極管
B．R×100／防止二極管導(dǎo)通時(shí)正向電流過(guò)大而燒壞
C．R×1／防止過(guò)壓反響擊穿二極管
D．R×1／防止二極管導(dǎo)通時(shí)正向電流過(guò)大而燒壞
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A．大／陰
B．?。?br />
C．小／陽(yáng)
D．大／陰或?。?yáng)
A．0.1～0.2V／0.3V
B．0.2～0.3V／0.7V
C．0.3～0.5V／0.7V
D．0.5V／0.7V
A．0.1V／0.5V
B．0.2V／0.5V
C．0.5V／0.7V
D．0.5V／1.0V
A．死區(qū)電壓
B．擊穿電壓
C．截止電壓
D．峰值電壓
A．正向電阻很小
B．無(wú)論加多大的反向電壓，都不會(huì)導(dǎo)通
C．未被反向擊穿前，反向電阻很大
D．所加正向電壓大于死區(qū)電壓時(shí)，二極管才算真正導(dǎo)通
最新試題
晶體管作為開(kāi)關(guān)使用時(shí)，主要工作于（）。
理想的運(yùn)算放大器應(yīng)具有的特性是（）。（Au開(kāi)環(huán)電壓放大倍數(shù)，ri輸入電阻，r0輸出電阻）
當(dāng)邏輯變量A=1、B=0、C=1時(shí)，求邏輯函數(shù)的值為（）。
設(shè)v+、v－分別是理想運(yùn)放的同相輸入端、反相輸入端的電位；設(shè)i+、i－分別是該兩端的輸入電流。若運(yùn)放工作于線性區(qū)，則（）。
PNP型三極管處于放大狀態(tài)時(shí)，三個(gè)極的電位關(guān)系為（）。
可控硅關(guān)斷的條件是（）。
當(dāng)邏輯變量A=1、B=1、C=1時(shí)，求邏輯函數(shù)Y=A+B+C的值為（）。
關(guān)于晶閘管的下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
關(guān)于集成運(yùn)放的下列說(shuō)法，正確的是（）。
對(duì)于單管共射極基本放大電路，若靜態(tài)工作點(diǎn)不合適，比較方便的做法是（）。