單項選擇題
如圖所示的電路為N信道空乏型MOSFET的偏壓電路，設(shè)VDD=+24V，RD=1.2kΩ，RG=10MΩ，MOSFET的IDSS=9mA，VP=－4.5V，則直流偏壓值為何？（）
A.VGS=4.5V，ID=9mA
B.VGS=－4.5V，ID=4.5mA
C.VGS=0V，VGS=18.6V
D.VGS=0V，VDS=4.5V
E.VGS=0V，VDS=13.2V
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1.單項選擇題
如圖所示，晶體管之β=40，使晶體管飽和之最小IB為？（）
A.2mA
B.1mA
C.0.5mA
D.0.1mA
2.單項選擇題制作晶體管時，各接腳區(qū)的摻雜濃度為（）
A.E>B>C
B.B>E>C
C.E>C>B
D.C>E>B
3.單項選擇題有α值為0.99的晶體管，若射極電流變化2mA，VCB固定，則集極電流變化為（）mA.
A.0.02
B.1.98
C.0.495
D.2.54
4.單項選擇題若晶體管位于截止區(qū)，則電壓特性為（）
A.VEB順偏，VCB順偏
B.VEB順偏，VCB逆偏
C.VEB逆偏，VCB逆偏
D.VEB逆偏，VCB順偏
5.單項選擇題NPN晶體管若欲工作在作用區(qū)（active-region），則（）
A.基射接面需順偏，基集接面需順偏
B.基射接面需順偏，基集接面需反偏
C.基射接面需反偏，基集接面需順偏
D.基射接面需反偏，基集接面需反偏
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