單項(xiàng)選擇題缺陷的當(dāng)量尺寸總是()缺陷的實(shí)際尺寸。

A.小于
B.等于
C.大于
D.小于或等于


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1.單項(xiàng)選擇題探頭中的壓電晶片的發(fā)射方式是()。

A.將電能轉(zhuǎn)換成機(jī)械能
B.將機(jī)械能轉(zhuǎn)換或電能
C.將電能轉(zhuǎn)換成電能
D.將機(jī)械能轉(zhuǎn)換成機(jī)械能

2.單項(xiàng)選擇題A型顯示的示波屏上的水平基線表示()。

A.超聲波反射能量的大小
B.探頭的移動(dòng)距離
C.超聲波傳播時(shí)間或距離
D.傷損大小

3.單項(xiàng)選擇題最適用于高速自動(dòng)探傷結(jié)果顯示的方式為()。

A.A型顯示
B.速度~振幅圖表
C.C型顯示
D.回波高度~深度圖表

4.單項(xiàng)選擇題材料晶粒尺寸增大,對超聲波探傷的主要影響是()。

A.聲阻
B.衰減
C.聲阻抗
D.折射角

最新試題

當(dāng)探頭與被檢工件表面耦合狀態(tài)不同時(shí),而又沒有進(jìn)行適當(dāng)?shù)难a(bǔ)償,會(huì)使定量誤差增加,精度下降。

題型:判斷題

對于圓柱體而言,外圓徑向檢測實(shí)心圓柱體時(shí),入射點(diǎn)處的回波聲壓理論上同平底面工件相同。

題型:判斷題

在檢測晶粒粗大和大型工件時(shí),應(yīng)測定材料的衰減系數(shù),計(jì)算時(shí)應(yīng)考慮介質(zhì)衰減的影響。

題型:判斷題

水浸式探頭主要特點(diǎn)是探頭與工件直接接觸,且探頭部分或全部門浸入耦合液中。

題型:判斷題

衍射時(shí)差法對缺陷的定量依賴于缺陷的回波幅度。

題型:判斷題

缺陷垂直時(shí),擴(kuò)散波束入射至缺陷時(shí)回波較高,而定位時(shí)就會(huì)誤認(rèn)為缺陷在軸線上,從而導(dǎo)致定位不準(zhǔn)。

題型:判斷題

高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊,使之形成高溫耦合層。

題型:判斷題

衍射時(shí)差法探傷,當(dāng)有缺陷存在時(shí),在直通波和底面反射波之間,接收探頭會(huì)接收到缺陷處產(chǎn)生的衍射波。

題型:判斷題

無論聲波相對于缺陷是垂直入射還是斜入射,缺陷大小不同其反射波的指向性有相當(dāng)大的差異。

題型:判斷題

由于超聲波對進(jìn)入面的表面粗糙度、入射超聲束的方向等有一定的要求,必要時(shí)應(yīng)通過增添專門的工序,采用經(jīng)批準(zhǔn)的加工方法準(zhǔn)備超聲波進(jìn)入面。

題型:判斷題