A.三極管
B.NPN硅材料
C.高頻小功率管
D.序號(hào)
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A.三極管
B.NPN硅材料
C.序號(hào)
D.規(guī)格號(hào)
A.很小
B.很大
C.不變
D.不大不小
A.100
B.97.6
C.99.87
D.121.9
A.等于
B.高于
C.低于
D.大于等于
A.基極電位
B.發(fā)射極電位
C.即高于基極電位又高于發(fā)射極電位
D.任意
最新試題
水浸式探頭主要特點(diǎn)是探頭與工件直接接觸,且探頭部分或全部門(mén)浸入耦合液中。
對(duì)于圓柱體而言,外圓徑向檢測(cè)實(shí)心圓柱體時(shí),入射點(diǎn)處的回波聲壓理論上同平底面工件相同。
高溫探頭的外殼與阻尼塊為不銹鋼,電纜為無(wú)機(jī)物絕緣體高溫同軸電纜。
為了減少側(cè)壁的影響,必要時(shí)可采用試塊比較法進(jìn)行定量,以便提高定量精度。
缺陷垂直時(shí),擴(kuò)散波束入射至缺陷時(shí)回波較高,而定位時(shí)就會(huì)誤認(rèn)為缺陷在軸線上,從而導(dǎo)致定位不準(zhǔn)。
根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計(jì)算公式與圓柱形平面反射體的表達(dá)式進(jìn)行比較可知,在反射體直徑相同的情況下,圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。
橫波檢測(cè)平板對(duì)接焊縫根部未焊透等缺陷時(shí),不同K值探頭檢測(cè)同一根部缺陷,其回波高相差不大。
當(dāng)探頭的性能不佳時(shí)出現(xiàn)兩個(gè)主聲束,發(fā)現(xiàn)缺陷時(shí)很難判斷是哪個(gè)主聲束發(fā)現(xiàn)的,因此也就難以確定缺陷的實(shí)際位置。
衍射時(shí)差法對(duì)缺陷檢出率高,超聲波束覆蓋區(qū)域大,缺陷高度測(cè)量精確,實(shí)時(shí)成像,快速分析。
衍射時(shí)差法探傷,當(dāng)有缺陷存在時(shí),在直通波和底面反射波之間,接收探頭會(huì)接收到缺陷處產(chǎn)生的衍射波。