新置的Ir192γ射線源，其活度為40Ci，現(xiàn)今時(shí)隔300天，已知，Ir192γ射線源的半衰期為75天。求該源現(xiàn)在的活度？該源新置時(shí)，對某工件進(jìn)行射線照相的曝光時(shí)間為4min，若所有條件不變，現(xiàn)今應(yīng)曝光多少分鐘？

按操作工藝卡規(guī)定，透照焊縫時(shí)母材區(qū)最大黑度為3.0，而國標(biāo)允許的最大黑度為3.5，若其他條件不變，焦距用650mm時(shí)，焦距的測定誤差為±25mm，問在此情況下母材區(qū)黑度是否超過3.5？又最大黑度超過3.5的臨界焦距是多少？（已知1gE（D3.5）=2.17，lgE（D3.0）=2.11）

散射線忽略不計(jì)，當(dāng)平板透照厚度的減薄量相當(dāng)于半價(jià)層的1/×?xí)r，則膠片接受的射線照射量將增大百分之幾？

分析底片上出現(xiàn)白色（黑度低于周圍焊縫或母材的黑度）缺陷影像的原因？

寫出VC-S滲透探傷的工藝流程。

下圖所示的標(biāo)準(zhǔn)試件可用來測定（）。

圖所示的標(biāo)準(zhǔn)試件可用來測定（）。

以通有交流電的圓筒型線圈中放有長導(dǎo)電圓柱體試件為例，簡述福斯特模型的基本內(nèi)容。說明什么叫做有效磁導(dǎo)率？并寫出其數(shù)學(xué)表達(dá)式。

試驗(yàn)線圈的感抗可用×L=2πfL公式計(jì)算，阻抗可用Z=√Xl2+R2公式計(jì)算。

通過一次線圈的交流電產(chǎn)生一個(gè)磁場并在棒材中產(chǎn)生渦流，二次線圈的電壓取決于（）。