A.X射線照相應(yīng)盡量選用較低的管電壓
B.γ射線照相時(shí),總的曝光時(shí)間應(yīng)不小于輸送源所需時(shí)間的10倍
C.X射線照相,當(dāng)焦距為700mm時(shí),曝光量的推薦值為:AB級(jí)不小于15mA.min
D.X射線照相在采用較高管電壓時(shí),應(yīng)保證適當(dāng)?shù)钠毓饬?/p>
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A.電源電壓下降超過(guò)10%時(shí),黑光燈輸出功率將大大降低
B.電源電壓波動(dòng)超過(guò)10%時(shí),對(duì)人眼損傷較大
C.電源電壓過(guò)低嚴(yán)重影響檢測(cè)靈敏度
D.電源電壓過(guò)高嚴(yán)重影響黑光燈壽命
A.試塊清洗后,放在酒精溶液中保存
B.施加滲透劑可直接進(jìn)行刷涂
C.施加滲透劑不能用噴涂方法
D.熒光滲透檢測(cè)用試塊可用于著色滲透檢測(cè)
A.滲透檢測(cè)質(zhì)量分級(jí)考慮到了缺陷性質(zhì)、數(shù)量、尺寸和密集程度
B.圓形缺陷的分級(jí)既限定了單個(gè)缺陷最大尺寸,又限定了缺陷密集程度
C.焊接接頭不允許存在橫向線性缺陷顯示
D.評(píng)定框內(nèi)同時(shí)存在線性缺陷和圓形缺陷時(shí),應(yīng)進(jìn)行綜合評(píng)級(jí)
A.干式顯像劑應(yīng)對(duì)其比重進(jìn)行經(jīng)常校驗(yàn)
B.干式顯像劑應(yīng)經(jīng)常檢查粉末凝聚
C.干式顯像劑應(yīng)經(jīng)常檢查殘留熒光
D.干式顯像劑對(duì)工件無(wú)腐蝕
A.A型對(duì)比試塊A、B試塊上具有細(xì)密相對(duì)稱的裂紋圖形
B.A型對(duì)比試塊是淬火裂紋
C.B型試塊是輻射狀裂紋
D.B型試塊的材質(zhì)是鋁合金
最新試題
原子是元素的具體存在,是體現(xiàn)元素性質(zhì)的最小微粒。
若評(píng)片燈亮度增為原來(lái)的兩倍,則底片透光度(It/I0)變?yōu)樵瓉?lái)的()
下列對(duì)耦合劑應(yīng)該具有的特點(diǎn)的描述,不正確的一項(xiàng)是()
最容易發(fā)生康普頓效應(yīng)的射線能量為()
底片清晰度和膠片與被照件貼緊程度的關(guān)系是()
最容易發(fā)生光電效應(yīng)的射線能量為()
對(duì)軸類鋼制鍛件,用2.5P14的直探頭,在圓周面上用底波作基準(zhǔn)反射而進(jìn)行靈敏度調(diào)整時(shí),該軸鍛件的直徑至少應(yīng)大于()
對(duì)于平行于檢測(cè)面的缺陷,一般采用()檢測(cè)。
以下哪一種措施不能減小上表面盲區(qū)的影響()
調(diào)節(jié)掃描速度時(shí),應(yīng)使()同時(shí)對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)的水平刻度值。