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單項(xiàng)選擇題在PN結(jié)的形成過程中，下列說法中錯(cuò)誤的是（）

A.多數(shù)載流子的運(yùn)動(dòng)稱為漂移；
B.電子與空穴的中和稱為復(fù)合；
C.多數(shù)載流子的運(yùn)動(dòng)稱為擴(kuò)散；
D.少數(shù)載流子的運(yùn)動(dòng)稱為漂移；

1.單項(xiàng)選擇題 理想二極管組成的電路如下圖所示，其AB兩端的電壓是（）

A.—12V；
B.—6V；
C.+6V；
D.+12V。

2.單項(xiàng)選擇題晶體三極管的飽和條件，下列說法正確的是（）

A.發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏；
B.發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏；
C.發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)正偏；
D.發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)反偏。

3.單項(xiàng)選擇題晶體三極管的截止條件，下列說法正確的是（）

4.單項(xiàng)選擇題晶體三極管用于放大的條件，下列說法正確的是（）

A.發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏；
B.發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏；
C.發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)正偏；
D.發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)反偏；

5.單項(xiàng)選擇題在摻雜后的半導(dǎo)體中，其導(dǎo)電能力的大小的說法正確的是（）

A.摻雜的工藝；
B.雜質(zhì)的濃度；
C.溫度；
D.晶體的缺陷。