A.20Gy
B.25Gy
C.30Gy
D.35Gy
E.40Gy
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A.腔內(nèi)照射
B.管內(nèi)照射
C.組織間照射
D.體積插植
E.表面施源器照射
A.靶區(qū)覆蓋指數(shù)
B.靶外體積指數(shù)
C.靶區(qū)劑量均勻性指數(shù)
D.超劑量體積指數(shù)
E.加權(quán)綜合指數(shù)
A.70%
B.75%
C.80%
D.85%
E.90%
A.鐳-226
B.銥-192
C.銫-137
D.碘125
E.鈷-60
A.0.5cm
B.1.0cm
C.1.5cm
D.2.0cm
E.2.5cm
最新試題
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變?cè)叫 ?/p>
影響靶點(diǎn)位置精確度的因素包括機(jī)械精度,定位精度和擺位精度。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
目前靶區(qū)劑量的精確性規(guī)定應(yīng)達(dá)到()。
光電效應(yīng)時(shí)入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級(jí)電子動(dòng)能,另一部分為特征X 射線能量。
組織最大劑量比TMR 和源皮距的關(guān)系是()。
等效射野指的是通過(guò)計(jì)算換算后的方形野。
LET=()Kev/μm 是高低LET 射線的分界線。
低LET射線的RBE值()1.0,高LET射線的RBE值()2.0。
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn),而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。