A.表面劑量增加
B.最大劑量深度變深
C.X射線污染增加
D.劑量梯度變陡
E.高能電子束較低能電子束變化顯著
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A.Sp(FSZ)=Scp/OUF=Scp/Sc
B.Sp(FSZ)=OUF/Scp=Sc/Scp
C.Sc=Scp/OUF=Scp/Sp
D.Sc=OUF/Scp=Sp/Scp
E.OUF=(Sc+Sp)/Scp
A.照射野越大,影響越大
B.電子束射程越短,影響越大
C.低能時(shí),影響較大
D.當(dāng)照射野的直徑大于電子束射程的1/2時(shí),影響較小
E.當(dāng)照射野的直徑大于電子束射程的2/3時(shí),影響較大
A.原射線的離軸比
B.射野的邊界因子
C.射野的對(duì)稱(chēng)性
D.射野的平坦度
E.射野的均質(zhì)性
A.一維物理楔形板
B.動(dòng)態(tài)楔形板
C.多葉準(zhǔn)直器動(dòng)態(tài)掃描
D.多葉準(zhǔn)直器靜態(tài)掃描
E.筆形束電磁掃描
A.體積較大
B.對(duì)側(cè)向散射反應(yīng)不靈敏
C.受“熱效應(yīng)”影響大
D.易受環(huán)境及溫度影響
E.受照射野大小影響
最新試題
組織最大劑量比TMR 和源皮距的關(guān)系是()。
檢查燈光野與射野的一致性通常用膠片法。
質(zhì)子束的優(yōu)勢(shì)在于布拉格峰形百分深度劑量分布。
射野中心軸上百分深度劑量值的大小直接反應(yīng)了射線質(zhì)(能量)的高低。
α/β不僅代表了細(xì)胞存活曲線的曲度,也代表了細(xì)胞對(duì)亞致死損傷的修復(fù)能力。
帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對(duì)劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級(jí)準(zhǔn)直器。
半影為射野邊緣劑量隨離開(kāi)中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
兩種不同深度處的百分深度劑量比值稱(chēng)為射線質(zhì)指數(shù)或能量指數(shù)。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。