單項選擇題現(xiàn)代近距離照射中,模擬線源時假設(shè)駐留位為N,相鄰駐留位之間的距離為S,則距離源()之內(nèi),模擬源的劑量分布為波浪形,且離放射源距離越近越明顯。

A.N/2
B.S/2
C.NS
D.N/S
E.S/N


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2.單項選擇題近距離照射中,距離源1cm和3cm之間的劑量變化為()

A.1倍
B.3倍
C.6倍
D.9倍
E.16倍

3.單項選擇題關(guān)于高能電子束的百分深度劑量,描述錯誤的是()

A.劑量建成區(qū)
B.低劑量坪區(qū)
C.高劑量坪區(qū)
D.劑量跌落區(qū)
E.X射線污染區(qū)

4.單項選擇題電子束旋轉(zhuǎn)治療時的β角,射野寬W和曲率半徑r的關(guān)系是()

A.W=2rSin(β/2)/[1-(f/r)Cos(β/2)]
B.W=2rSin(β/2)/[1-(r/F.Cos(β/2)]
C.W=2rSin(f/2)/[1-(r/F.Cos(β/2)]
D.W=2rSin(β/2)/[1-(r/F.Cos(f/2)]
E.W=2rCos(β/2)/[1-(r/F.Sin(β/2)]