單項(xiàng)選擇題射野方向觀(guān)的簡(jiǎn)稱(chēng)是（）
A.DDR
B.DRR
C.DCR
D.REV
E.BEV
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1.單項(xiàng)選擇題曼徹斯特系統(tǒng)是以（）直線(xiàn)源設(shè)計(jì)的平面插植劑量計(jì)算系統(tǒng)。
A.鐳-226
B.銥-192
C.銫-137
D.碘125
E.鈷-60
2.單項(xiàng)選擇題曼徹斯特系統(tǒng)最早始于（）年代。
A.30
B.40
C.50
D.60
E.70
3.單項(xiàng)選擇題首先提出循跡掃描原理的是（）
A.proimos
B.Trump
C.Takahashi
D.Green
E.Umegaki
4.單項(xiàng)選擇題鈷-60伽瑪線(xiàn)在吸收介質(zhì)鉛中的HVL是（）？
A.4mm
B.6mm
C.12mm
D.16mm
E.19mm
5.單項(xiàng)選擇題對(duì)電子束而言?xún)煞N模體等效的條件是（）相等。
A.電子注量
B.電子密度
C.物理密度
D.原子序數(shù)
E.原子量
最新試題
光電效應(yīng)時(shí)入射X（γ）光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級(jí)電子動(dòng)能，另一部分為特征X 射線(xiàn)能量。
題型：判斷題
帶電粒子入射到物體時(shí)，沒(méi)有確定的射程。
題型：判斷題
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線(xiàn)比釋動(dòng)能率相等。
題型：判斷題
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡(jiǎn)稱(chēng)分別為QA、QC。
題型：判斷題
LET=（）Kev/μm 是高低LET 射線(xiàn)的分界線(xiàn)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
低LET射線(xiàn)的RBE值（）1.0，高LET射線(xiàn)的RBE值（）2.0。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
α/β不僅代表了細(xì)胞存活曲線(xiàn)的曲度，也代表了細(xì)胞對(duì)亞致死損傷的修復(fù)能力。
題型：判斷題
百分深度劑量受照射野面積的影響。
題型：判斷題
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線(xiàn)光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn)，而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。
題型：判斷題
隨能量增大，光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
題型：判斷題