A.可同時(shí)測(cè)量一個(gè)平面內(nèi)所有點(diǎn)劑量
B.可以減少照射時(shí)間和測(cè)量時(shí)間
C.有很高的空間分辨率
D.可以測(cè)量不均勻固體介質(zhì)中的劑量分布
E.靈敏度不受射線能量的影響
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A.0.1r
B.0.3r
C.0.5r
D.0.75r
E.幾何中心
A.電離室的幾何尺寸
B.工作電壓的選擇
C.正離子產(chǎn)生的速率
D.負(fù)離子產(chǎn)生的速率
E.電離輻射的入射方向
A.1-10Kev
B.10-30Kev
C.30Kev-25Mev
D.25Mev-100Mev
E.100Mev-125Mev
A.表示該元素在周期表中的位置
B.表示原子核內(nèi)質(zhì)子數(shù)和中子數(shù)的多少
C.表示原子核外電子數(shù)的多少
D.表示原子核內(nèi)質(zhì)子數(shù)的多少
E.表示原子核電荷核數(shù)的多少
A.DAY法使用的計(jì)算數(shù)據(jù)是射野的等劑量分布曲線
B.DAY法使用的計(jì)算數(shù)據(jù)是不同深度處的射野離軸比
C.DAY法使用的計(jì)算數(shù)據(jù)是射野中心軸上的百分深度劑量
D.DAY法只能用于射野內(nèi)任意點(diǎn)劑量計(jì)算
E.DAY法只能用于射野外任意點(diǎn)劑量計(jì)算
最新試題
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對(duì)劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級(jí)準(zhǔn)直器。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡(jiǎn)稱分別為QA、QC。
治療證實(shí)是治療準(zhǔn)確執(zhí)行的重要保證,包括驗(yàn)證記錄系統(tǒng),射野影像系統(tǒng),活體劑量測(cè)量系統(tǒng)。
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變?cè)叫 ?/p>
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
隨能量增大,光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
低LET射線的RBE值()1.0,高LET射線的RBE值()2.0。
目前靶區(qū)劑量的精確性規(guī)定應(yīng)達(dá)到()。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
半影為射野邊緣劑量隨離開中心軸距離增加而急劇變化的范圍。