A.當(dāng)SSD改變時(shí),TMR不變
B.當(dāng)SSD減小時(shí),TMR增大
C.當(dāng)SSD增大時(shí),TMR減小
D.當(dāng)SSD增大時(shí),TMR增大
E.當(dāng)SSD減小時(shí),TMR減小
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A.沿軸向分布的電場(chǎng)和磁場(chǎng)
B.沿橫向分布的電場(chǎng)和磁場(chǎng)
C.沿軸向分布的電場(chǎng)和沿橫向分布的磁場(chǎng)
D.沿橫向分布的電場(chǎng)和沿軸向分布的磁場(chǎng)
E.沿軸分布方向相反的電場(chǎng)和磁場(chǎng)
A.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較強(qiáng),與受照體積關(guān)聯(lián)較弱
B.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較強(qiáng),與受熙、體積關(guān)聯(lián)較強(qiáng)
C.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較弱,與受照體積關(guān)聯(lián)較弱
D.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較弱,與受照體積關(guān)聯(lián)較強(qiáng)
E.只和受照最大劑量有關(guān)
A.能量越高,射野越小,表面劑量越高
B.能量越高,射野越大,表面劑量越高
C.能量越低,射野越小,表面劑量越高
D.能量越低,射野越大,表面劑量越高
E.能量影響相對(duì)較小,射野大小對(duì)表面劑量影響很大
A.對(duì)于60Coγ射線,任何深度處等劑量由線射線中心軸上的值都是最小的,隨著向射野邊界靠近而增加
B.對(duì)于60Coγ射線,任何深度處等劑量曲線射線中心軸上的值都是最小的,隨著向射野邊界靠近而減少
C.對(duì)于兆伏級(jí)光子線,在淺層深度處,同一深度的離軸劑量通常比中心軸劑量大,這是由于均整塊的設(shè)計(jì)所導(dǎo)致的
D.對(duì)于兆伏級(jí)光子線,在淺層深度處,同一深度的離軸劑量通常比中心軸劑量大,這是由于散射箔的設(shè)計(jì)所導(dǎo)致的
E.對(duì)于兆伏級(jí)光子線,在淺層深度處,同一深度的離軸劑量通常比中心軸劑量大,這是由于光子線的靶設(shè)計(jì)所導(dǎo)致的
A.氟化鋰
B.氯化納
C.硫酸銅
D.硫酸鐵
E.硫酸亞鐵
最新試題
帶電粒子入射到物體時(shí),沒有確定的射程。
對(duì)重離子,線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。
兩種不同深度處的百分深度劑量比值稱為射線質(zhì)指數(shù)或能量指數(shù)。
帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。
目前靶區(qū)劑量的精確性規(guī)定應(yīng)達(dá)到()。
電離室型劑量?jī)x在每次測(cè)量前必需對(duì)氣溫和氣壓進(jìn)行修正。
對(duì)加速器射野的對(duì)稱性和平坦度的檢查應(yīng)每月兩次。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變?cè)叫 ?/p>
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。