準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級(jí)準(zhǔn)直器。

“4R”描述的是影響腫瘤和正常組織的輻射生物效應(yīng)因素。

巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí)，應(yīng)采用雙平面插植。

帶電粒子入射到物體時(shí)，沒有確定的射程。

組織最大劑量比TMR 和源皮距的關(guān)系是（）。

對重離子，線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。

兩種不同深度處的百分深度劑量比值稱為射線質(zhì)指數(shù)或能量指數(shù)。

巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。

實(shí)際患者治療時(shí)，無環(huán)重定位技術(shù)的靶點(diǎn)位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。

半影為射野邊緣劑量隨離開中心軸距離增加而急劇變化的范圍。