單項(xiàng)選擇題密封放射檢測(cè)源是否泄漏或被污染，通常使用的探測(cè)器是（）

A.指型電離室
B.半導(dǎo)體探測(cè)器
C.中子探測(cè)器
D.閃爍計(jì)數(shù)器
E.正比計(jì)數(shù)器


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1.單項(xiàng)選擇題射野圖像比模擬定位圖像質(zhì)量差的原因（）

A.射線束能量高
B.射線束劑量率高
C.放射源尺寸大
D.曝光時(shí)間長(zhǎng)
E.照射距離長(zhǎng)

2.單項(xiàng)選擇題有關(guān)比釋動(dòng)能的描述，錯(cuò)誤的是（）

A.也稱(chēng)為Kerma
B.從間接電離輻射轉(zhuǎn)移到直接電離輻射的平均數(shù)量
C.不考慮能量轉(zhuǎn)移后的情況
D.沉積在單位質(zhì)量中的能量
E.適用于非直接電離輻射的一個(gè)非隨機(jī)量

3.單項(xiàng)選擇題巴黎系統(tǒng)標(biāo)稱(chēng)劑量率是基準(zhǔn)劑量率的（）

A.95%
B.90%
C.85%
D.80%
E.75%

4.單項(xiàng)選擇題總比釋動(dòng)能通常包括（）

A.絕對(duì)比釋動(dòng)能和相對(duì)比釋動(dòng)能
B.絕對(duì)比釋動(dòng)能和碰撞比釋動(dòng)能
C.絕對(duì)比釋動(dòng)能和輻射比釋動(dòng)能
D.絕對(duì)比釋動(dòng)能、相對(duì)比釋動(dòng)能、碰撞比釋動(dòng)能和輻射比釋動(dòng)能
E.碰撞比釋動(dòng)能和輻射比釋動(dòng)能

5.單項(xiàng)選擇題作為作為三級(jí)準(zhǔn)直器安裝的MLC的敘述，正確的是（）

A.增加了治療凈空間
B.不能單獨(dú)使用原有的一、二級(jí)準(zhǔn)直器進(jìn)行治療
C.葉片長(zhǎng)度比替代二級(jí)準(zhǔn)直器的MLC葉片運(yùn)動(dòng)范圍要長(zhǎng)或形成的射野較小
D.增加了漏射劑量
E.準(zhǔn)直器散射因子（SC.和模體散射因子（Sp）不變