A.電子與靶原子內(nèi)層軌道電子作用的結(jié)果
B.是連續(xù)能量的X射線
C.反映了原子內(nèi)部的殼層結(jié)構(gòu)
D.光子能量小于入射電子能量
E.發(fā)生幾率與靶原子序數(shù)有關(guān)
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A.質(zhì)量厚度相同
B.平均原子序數(shù)相同
C.平均原子量相同
D.元素組成及相對(duì)成分相同
E.電子密度相同
A.最大劑量點(diǎn)歸一為100%,包繞靶區(qū)的處方等劑量
B.靶區(qū)體積的平均劑量
C.等中心點(diǎn)歸一為100%,包繞靶區(qū)的處方等劑量
D.靶區(qū)內(nèi)的最小處方等劑量
E.靶區(qū)內(nèi)的等中心點(diǎn)劑量
A.體積變換
B.比例變換
C.坐標(biāo)變換
D.結(jié)構(gòu)變換
E.圖像格式變換
A.X線球管的負(fù)荷
B.X線球管的熱容量
C.X線球管的焦點(diǎn)大小
D.焦點(diǎn)距探頭距離
E.探頭的排數(shù)
A.沒有關(guān)系
B.一次方正比
C.一次方反比
D.平方反比
E.平方正比
最新試題
實(shí)際患者治療時(shí),無環(huán)重定位技術(shù)的靶點(diǎn)位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。
人體曲面校正的組織空氣比法或組織最大劑量比方法的修正因子CF的表達(dá)式是()。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變?cè)叫 ?/p>
隨能量增大,光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
質(zhì)子束的優(yōu)勢(shì)在于布拉格峰形百分深度劑量分布。
射野中心軸上百分深度劑量值的大小直接反應(yīng)了射線質(zhì)(能量)的高低。
“4R”描述的是影響腫瘤和正常組織的輻射生物效應(yīng)因素。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
源皮距越小,百分深度劑量越大。