單項(xiàng)選擇題電子設(shè)備防外界磁場(chǎng)的影響一般采用（）材料作成磁屏蔽罩。

A.順磁
B.反磁
C.鐵磁
D.絕緣


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1.單項(xiàng)選擇題電力場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET適于在（）條件下工作。

A.直流
B.低頻
C.中頻
D.高頻

2.單項(xiàng)選擇題晶閘管逆變器輸出交流電的頻率由（）來(lái)決定的。

A.一組晶閘管的導(dǎo)通時(shí)間
B.兩組晶閘管的導(dǎo)通時(shí)間
C.一組晶閘管的觸發(fā)脈沖頻率
D.兩組晶閘管的觸發(fā)脈沖頻率

3.單項(xiàng)選擇題在晶閘管斬波器中，保持晶閘管觸發(fā)頻率不變，改變晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間從而改變直流平均電壓值的控制方式叫（）。

A.定頻調(diào)寬法
B.定寬調(diào)頻法
C.定頻定寬法
D.調(diào)寬調(diào)頻法

4.單項(xiàng)選擇題在帶平衡電抗器的雙反星型可控整流電路中，負(fù)載電流是同時(shí)由（）繞組承擔(dān)的。

A.一個(gè)晶閘管和一個(gè)
B.兩個(gè)晶閘管和兩個(gè)
C.三個(gè)晶閘管和三個(gè)
D.四個(gè)晶閘管和四個(gè)

5.單項(xiàng)選擇題寄存器主要由（）組成。

A.觸發(fā)器
B.門電路
C.多諧振蕩器
D.觸發(fā)器和門電路