工程師在現(xiàn)場(chǎng)優(yōu)化時(shí)為控制覆蓋，對(duì)1個(gè)使用兩通道天線的小區(qū)進(jìn)行了降功率6db操作（調(diào)整powerscaling），達(dá)到了預(yù)期的目標(biāo)，該小區(qū)兩個(gè)通道的PMAX均為10w，在sib2中收到的Referfencesignalpower為12dbm，pb=1；RRCconnctionsetup中收到的pa=0。請(qǐng)簡(jiǎn)述這一操作的不良后果。

在LTE系統(tǒng)中，空口速率的提升主要依靠哪些技術(shù)？

在LTE/EPC核心網(wǎng)絡(luò)用戶附著成功后，MME給用戶分配的標(biāo)識(shí)符是什么（可以寫出英文縮寫）？它與SGSN分配的P-TMSI最主要的區(qū)別是什么？

網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃的關(guān)鍵內(nèi)容有哪些？

簡(jiǎn)要說明TD-LTE物理層幀結(jié)構(gòu)。

簡(jiǎn)述跟蹤區(qū)的作用？

什么是PCI？

簡(jiǎn)述UE發(fā)起TAU的原因。

簡(jiǎn)述LTE跟蹤區(qū)邊界的規(guī)劃原則。

簡(jiǎn)述默認(rèn)承載與專有承載的區(qū)別。