A.N區(qū)內(nèi)的雜質(zhì)正離子是順著外電場的方向運(yùn)動(dòng)
B.N區(qū)內(nèi)的多子電子是順著外電場的方向運(yùn)動(dòng)
C.P區(qū)內(nèi)的雜質(zhì)負(fù)離子是逆著外電場的方向運(yùn)動(dòng)
D.P區(qū)內(nèi)的多子空穴是順著外電場的方向運(yùn)動(dòng)
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你可能感興趣的試題
A.N區(qū)的空穴與P區(qū)的電子形成的電流,稱為反向電流
B.N區(qū)的空穴與P區(qū)的電子都遠(yuǎn)離空間電荷區(qū),使空間電荷區(qū)變寬
C.N區(qū)的電子與P區(qū)的空穴都靠近空間電荷區(qū),使空間電荷區(qū)變寬
D.N區(qū)的電子與P區(qū)的空穴形成的電流,稱為反向電流
A.差模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Aud越小,共模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Auc越大,共模抑制比越大
B.差模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Aud越大,共模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Auc越大,共模抑制比越大
C.差模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Aud越小,共模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Auc越小,共模抑制比越大
D.差模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Aud越大,共模信號(hào)的電壓放大倍數(shù)Auc越小,共模抑制比越大
A.相頻、幅頻、線性、頻率
B.相頻、幅頻、非線性、頻率
C.幅頻、相頻、非線性、線性
D.幅頻、相頻、線性、頻率
A.高輸入阻抗、低共模抑制比、低漂移的小信號(hào)放大電路
B.低輸入阻抗、高共模抑制比、低漂移的小信號(hào)放大電路
C.低輸入阻抗、低共模抑制比、低漂移的小信號(hào)放大電路
D.高輸入阻抗、高共模抑制比、低漂移的小信號(hào)放大電路
A.濾波
B.負(fù)反饋
C.整流
D.選頻
最新試題
對于半導(dǎo)體材料,隨溫度升高:()
無線電波中的電場與磁場的夾角應(yīng)為()。
N溝道和P溝道結(jié)型場效應(yīng)管所加的柵極控制電壓均為()。
單邊帶發(fā)射機(jī)的優(yōu)點(diǎn)是()
哪一種傳輸器件傳輸?shù)碾姴l率高?()
一般通過改變()來調(diào)整多諧振蕩器的頻率。
如圖所示電路,晶體管的β=100,rbe=1kΩ,Rc=3kΩ。1.現(xiàn)測得靜態(tài)管壓降UCEQ=6V,試求Rb阻值。2.若測得和的有效值分別為1mV和100mV,求負(fù)載電阻RL大小。
場效應(yīng)管的工作是通過()實(shí)現(xiàn)的。
超外差調(diào)幅接收機(jī)中帶有早期接收機(jī)所沒有的()。
中頻放大器的諧振曲線越接近矩形,說明()。