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A.50
B.60
C.80
D.100
A.截止區(qū)
B.放大區(qū)
C.飽和區(qū)
D.以上都可以
A.發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏
B.發(fā)射結(jié),集電結(jié)均正偏
C.發(fā)射極,集電結(jié)均反偏
D.發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)正偏
最新試題
?電路如圖所示,如果電容C2開路,則MOSFET的漏極直流電壓將會(huì)(),漏極交流電壓將會(huì)(),增益將會(huì)()。
?在verilogHDL的數(shù)字表達(dá)方式用,和十進(jìn)制數(shù)127表示的數(shù)字相同的表達(dá)方式有()。
?已知Nexys4開發(fā)板外部時(shí)鐘信號頻率為100MHz,數(shù)字鐘用來產(chǎn)生秒信號的時(shí)鐘信號頻率為1Hz,若采用計(jì)數(shù)器對100MHz的外部時(shí)鐘分頻得到1Hz的秒信號,請問該計(jì)數(shù)器至少需要多少位?()
CD放大器因?yàn)樵礃O輸出信號幾乎與柵極輸入信號變化一致,因此被稱為“源極跟隨器”。
一塊通用面包板,公共條是三?四?三分段連通型,那么這塊板上最多有()個(gè)插孔在內(nèi)部是連通在一起的。
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū),若uDS繼續(xù)增大時(shí),溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
CD放大器具有較()的輸入電阻和較()的輸出電阻。?????
MOSFET做放大器,要想正常工作只需用電路提供合理的偏置使其工作在飽和區(qū)即可。???
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值,那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為()。
現(xiàn)在定義了一個(gè)1位的加法器addbit(ci,a,b,co,sum),模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co,sub}=a+b+ci,其中a,b為兩個(gè)加數(shù),ci為來自低位的進(jìn)位,sum為和,co為向高位的進(jìn)位,如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器,同時(shí)定義頂層模塊中的端口信號和中間變量的定義:下面通過層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實(shí)現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是()。