多項(xiàng)選擇題NAS層——非接入層，支持移動(dòng)性管理功能以及用戶(hù)平面激活、修改和釋放功能。主要執(zhí)行（）

A.EPS承載管理、鑒權(quán)
B.IDLE狀態(tài)下的移動(dòng)性處理
C.尋呼
D.安全控制功能


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.多項(xiàng)選擇題在前往外場(chǎng)測(cè)試之前我們需要先做什么（）

A.明確測(cè)試目的
B.明確測(cè)試區(qū)域
C.檢查測(cè)試設(shè)備
D.做好突發(fā)預(yù)案

2.多項(xiàng)選擇題以下哪些傳輸模式可以為雙碼字（）

A.TM2
B.TM3
C.TM7
D.TM8

3.多項(xiàng)選擇題鏈路自適應(yīng)技術(shù)主要包括（）

A.分組調(diào)度控制
B.動(dòng)態(tài)功率控制
C.自適應(yīng)調(diào)制解碼（AMC）
D.自動(dòng)請(qǐng)求重傳

4.多項(xiàng)選擇題支持向LTE演進(jìn)的技術(shù)有（）

A.CDMA EvDo
B.WCDMA
C.TD-SCDMA
D.WiFi

5.多項(xiàng)選擇題已經(jīng)確定的S1接口的信令過(guò)程有（）

A.SAE承載信令過(guò)程，包括SAE承載建立和釋放過(guò)程
B.切換信令過(guò)程，尋呼過(guò)程
C.NAS信令傳輸功能
D.NAS傳輸過(guò)程，包括上行方向的初始UE和下行鏈路的直傳

最新試題

在建設(shè)EPC網(wǎng)絡(luò)時(shí)，請(qǐng)您簡(jiǎn)述如何實(shí)現(xiàn)IP包的抓取和分析。

題型：?jiǎn)柎痤}

簡(jiǎn)要說(shuō)明TD-LTE物理層幀結(jié)構(gòu)。

題型：?jiǎn)柎痤}

簡(jiǎn)述LTE跟蹤區(qū)邊界的規(guī)劃原則。

題型：?jiǎn)柎痤}

簡(jiǎn)述外場(chǎng)測(cè)試數(shù)據(jù)分析時(shí)主要關(guān)注哪些參數(shù)，每個(gè)參數(shù)的作用？

題型：?jiǎn)柎痤}

某TDLTER8處于小區(qū)B1超過(guò)20秒，鄰區(qū)有A（高優(yōu)先級(jí)）、B2（同優(yōu)先級(jí)）及C（低優(yōu)先級(jí)）。參數(shù)設(shè)置如下：threshXHigh=threshXLow=threshServingLow=20dB；qOffsetCell=0dB；qHyst=6dB。tReselection=1秒；qRxLevMin=-115dBm；offsetFreq=0所有小區(qū)的RSRP測(cè)量值（連續(xù)一秒）如下：A：-97dBmB1：-96dBmB2：-92dBmC：-94dBm請(qǐng)用R8的重選規(guī)則評(píng)估所有小區(qū)，然后找出最終重選目標(biāo)小區(qū)？

題型：?jiǎn)柎痤}

簡(jiǎn)述觸發(fā)LTE系統(tǒng)內(nèi)切換的主要事件及含義。

題型：?jiǎn)柎痤}

工程師在現(xiàn)場(chǎng)優(yōu)化時(shí)為控制覆蓋，對(duì)1個(gè)使用兩通道天線(xiàn)的小區(qū)進(jìn)行了降功率6db操作（調(diào)整powerscaling），達(dá)到了預(yù)期的目標(biāo)，該小區(qū)兩個(gè)通道的PMAX均為10w，在sib2中收到的Referfencesignalpower為12dbm，pb=1；RRCconnctionsetup中收到的pa=0。請(qǐng)簡(jiǎn)述這一操作的不良后果。

題型：?jiǎn)柎痤}

靜態(tài)配置2個(gè)MME間的S10接口，需要哪些步驟？如何檢測(cè)鏈路已通？

題型：?jiǎn)柎痤}

在LTE/EPC核心網(wǎng)絡(luò)用戶(hù)附著成功后，MME給用戶(hù)分配的標(biāo)識(shí)符是什么（可以寫(xiě)出英文縮寫(xiě)）？它與SGSN分配的P-TMSI最主要的區(qū)別是什么？

題型：?jiǎn)柎痤}

簡(jiǎn)要說(shuō)明TD-LTE特殊子幀的幀結(jié)構(gòu)特點(diǎn)。

題型：?jiǎn)柎痤}