單項(xiàng)選擇題用1M×4的DRAM芯片通過（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲器。
A.位
B.字
C.復(fù)合
D.位或字
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1.單項(xiàng)選擇題小容量RAM內(nèi)部存儲矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）
A.2n
B.22n
C.＞22n
D.＜2n
2.單項(xiàng)選擇題如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，要求輸入每變化20mV，輸出信號的最低位（LSB）發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位ADC。
A.6
B.8
C.10
D.12
3.單項(xiàng)選擇題與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比，權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了（）對轉(zhuǎn)換精度的影響。
A.網(wǎng)絡(luò)電阻精度
B.模擬開關(guān)導(dǎo)通電阻
C.電流建立時(shí)間
D.加法器
4.問答題試提出數(shù)字頻率計(jì)的三種設(shè)計(jì)方案，比較各種方案的特點(diǎn)。如果用HDPLD來實(shí)現(xiàn)，設(shè)計(jì)方案是最佳嗎？簡述理由。
最新試題
TTL與非門輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
27系列EPROM存儲的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
題型：單項(xiàng)選擇題
DRAM4164有2根片選線（RAS和CAS）、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請判斷它的存儲容量為多少？
題型：問答題
具有“有1出0、全0出1”功能的邏輯門是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
TTL與非門輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
要使JK觸發(fā)器的輸出Q從1就成0，它的輸入信號JK就為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
試提出數(shù)字頻率計(jì)的三種設(shè)計(jì)方案，比較各種方案的特點(diǎn)。如果用HDPLD來實(shí)現(xiàn)，設(shè)計(jì)方案是最佳嗎？簡述理由。
題型：問答題
兩個(gè)與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器，當(dāng)Q=1、Q=0時(shí)，兩個(gè)輸入信號R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
ROM可以用來存儲程序、表格和大量固定數(shù)據(jù)，但它不可以用來實(shí)現(xiàn)（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
TTL與非門輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題