A.表面電極
B.基板層
C.光電二極管
D.非晶硅TFT陣列
E.碘化銫晶體層
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A.入射X線光子在硒層中產(chǎn)生電子-空穴對(duì)
B.電子和空穴向相頂層電極移動(dòng)
C.信號(hào)電流被相應(yīng)檢測(cè)單元的接收電極所收集
D.儲(chǔ)能電容中電荷量與入射X線強(qiáng)度成正比
E.采集單元儲(chǔ)能電容中積聚的電荷被依次讀出
A.玻璃基板
B.集電矩陣
C.非晶硒層
D.半導(dǎo)體層
E.頂層電極
A.線性好
B.DQE高
C.動(dòng)態(tài)范圍大
D.工作效率高
E.空間分辨率高
A.在屏膠攝影方式時(shí)使用較多
B.將腺體與片盒拉開(kāi)一定距離
C.腺體較薄不發(fā)生放大模糊
D.通常結(jié)合使用局部壓迫
E.放大攝影一般使用較小的焦點(diǎn)
A.壓迫后立即自動(dòng)曝光功能
B.曝光后立即自動(dòng)釋放壓迫功能
C.斷電后手動(dòng)或電動(dòng)緊急釋放功能
D.斷電時(shí)所有的運(yùn)動(dòng)均自動(dòng)鎖定功能
E.壓迫腺體時(shí)垂直和傾斜運(yùn)動(dòng)均自動(dòng)鎖定
最新試題
質(zhì)量控制光楔片的沖洗時(shí)間應(yīng)在()
DgN值與下列無(wú)關(guān)的因素是()
乳腺攝影中偽影的產(chǎn)生因素不包括()
乳腺攝影中對(duì)胸壁側(cè)漏掉組織的要求是()
使用監(jiān)視器觀察數(shù)字乳腺影像時(shí),室內(nèi)光線應(yīng)()
乳腺攝影潛在致癌風(fēng)險(xiǎn)首選測(cè)量的量是()
乳癰成膿后應(yīng)及時(shí)切開(kāi)排膿,棍據(jù)不同情況應(yīng)選用以下切口,除了:()
監(jiān)測(cè)沖洗機(jī)的溫度計(jì)應(yīng)選用()
數(shù)字乳腺攝影中有關(guān)空間分辨率測(cè)量的描述錯(cuò)誤的是()
使用與不使用濾線柵,乳腺劑量相差()