A、物理機(jī)
B、存儲(chǔ)技術(shù)
C、網(wǎng)絡(luò)技術(shù)
D、虛擬化技術(shù)
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A、數(shù)據(jù)中心總電耗/IT設(shè)備電耗
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C、空調(diào)系統(tǒng)總電耗/IT設(shè)備總電耗
D、供配電系統(tǒng)總電耗/IT設(shè)備總電耗
A、存儲(chǔ)
B、計(jì)算
C、網(wǎng)絡(luò)
D、安全
A、Eucalyptus
B、OpenNebula
C、Openstack
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A、Chubby?
B、MapReduce
C、BigTable
D、GFS
A、Glance
B、Cinder
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D、Swift
最新試題
VoLTE語(yǔ)音質(zhì)量端到端間接影響因素包括()。
TAC越大,尋呼信道容量越小。
直放站增益設(shè)置時(shí),為了抵消底噪,上行增益要大于下行增益。
某LTE小區(qū)向3G重定向比例很高,一定表明該小區(qū)覆蓋范圍內(nèi)存在明顯的覆蓋不足。
頻譜分析儀的最低噪聲電平和最慢掃描時(shí)間是在最小分辨帶寬下得到的。
LTE的規(guī)劃包括()。
SecondaryCell(SCC)∶輔小區(qū),是工作在輔頻帶上的小區(qū)。一旦RRC連接建立,輔小區(qū)就被配置以提供額外的無(wú)線資源。
關(guān)于鄰區(qū)切換失敗的可能原因,下列說(shuō)法正確的是()。
VolTE呼叫建立時(shí)延除了覆蓋、干擾等常見(jiàn)影響外,網(wǎng)絡(luò)側(cè)的尋呼周期、DRX開(kāi)關(guān)、Precondition流程、二次尋呼間隔都對(duì)呼叫建立時(shí)延有較大影響。
創(chuàng)建承載不成功,SGW回給的CreateSessionResponse消息的原因?yàn)椤肞GWnotresponding,處理辦法是∶()。