多項(xiàng)選擇題LTE上行功率控制的方式有（）

A、開環(huán)功控
B、閉環(huán)功控
C、外環(huán)功控
D、內(nèi)環(huán)功控


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1.多項(xiàng)選擇題LTE的主要接口有（）

A、S1
B、X2
C、Iu
D、Iug

2.多項(xiàng)選擇題LTE的下行控制信道有（）

A、PBCH
B、PCFICH
C、PDCCH
D、PHICH
E、PDSCH
F、PMCH

3.多項(xiàng)選擇題LTE操作中涉及多個(gè)物理層過程,這些過程包括（）

A、小區(qū)搜索
B、功率控制
C、上行同步和下行定時(shí)控制
D、隨機(jī)接入相關(guān)過程

4.多項(xiàng)選擇題LTETDD物理信道的描述,哪些是正確的（）

A、PDSCH,PMCH可支持64QAM
B、一個(gè)上行子幀中可以同時(shí)存在多個(gè)PRACH信道
C、PDCCH,PCFICH以及PHICH映射到子幀中的控制區(qū)域上
D、PDSCH與PBCH可以存在于同一個(gè)子幀中

5.多項(xiàng)選擇題E-UTRAN系統(tǒng)中,下述屬于下行物理信道是（）

A、PDSCH
B、PBCH和PDCCH
C、PMCH
D、PCFICH