單項(xiàng)選擇題晶體管共集極電路之特性為（）
A.電流增益小
B.電壓增益大
C.功率增益大
D.相移為0°
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1.單項(xiàng)選擇題關(guān)于BJT和FET的特性敘述，下列何者為非？（）
A.BJT是雙載子組件，而FET是單載子組件
B.在IC的制作上，BJT比FET占較大的面積
C.BJT與FET都是電壓控制組件
D.一般而言，F(xiàn)ET作為放大器產(chǎn)生的噪聲較低
2.單項(xiàng)選擇題
如圖放大器的輸入與輸出相位（）
A.相同
B.相差180°
C.接近180°
D.大于180°
3.單項(xiàng)選擇題關(guān)于JFET，下列敘述何者為非？（）
A.VDS很大時(shí)，工作于奧姆區(qū)
B.VGS=VP時(shí)，通道被夾止
C.在較大的VDS時(shí)，工作在飽和區(qū)
D.工作在飽和區(qū)可做線性放大的工作
4.單項(xiàng)選擇題某晶體管放大器的射極電流為3mA，則順向射基極交流電阻re的近似值為？（）
A.3kΩ
B.3Ω
C.8.33Ω
D.8.33kΩ
5.單項(xiàng)選擇題脈波的上升時(shí)間是指最大波幅的百分之多少，到百分之多少？（）
A.0%～100%
B.5%～95%
C.10%～90%
D.15%～85%
最新試題
低頻功率放大器的基本要求通常不包括以下哪一項(xiàng)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
甲類低頻功率放大器的特點(diǎn)是什么？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
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題型：單項(xiàng)選擇題
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題型：單項(xiàng)選擇題