多項(xiàng)選擇題線狀譜的波長(zhǎng)只依賴(lài)于陽(yáng)極靶面的材料,而與管電壓和管電流無(wú)關(guān)的波譜是()。

A.連續(xù)譜
B.標(biāo)識(shí)譜
C.連續(xù)標(biāo)識(shí)譜
D.特征譜


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.多項(xiàng)選擇題原子核內(nèi)的核力就是()。

A.比庫(kù)侖力大10倍的力
B.短程力
C.比庫(kù)侖力大100倍的力
D.無(wú)距離限制的力

2.多項(xiàng)選擇題當(dāng)壓電晶體受到特定方向的壓力而變形時(shí),會(huì)出現(xiàn)以下()現(xiàn)象。

A.使帶電原子位置同向移動(dòng)
B.使帶電原子位置異向移動(dòng)
C.使正負(fù)電荷分居晶體兩側(cè)
D.使正負(fù)電荷抵消

3.多項(xiàng)選擇題磁性檢測(cè)技術(shù)應(yīng)用越來(lái)越廣泛,是由于磁性的變化()。

A.易于非基礎(chǔ)檢測(cè)
B.不易于非基礎(chǔ)檢測(cè)
C.可實(shí)現(xiàn)在線實(shí)時(shí)檢測(cè)
D.無(wú)法實(shí)現(xiàn)在線實(shí)時(shí)檢測(cè)

4.多項(xiàng)選擇題常可采用自顯像法顯像的材料有()等。

A.砂型鑄件
B.鋁、鎂合金
C.鈦合金
D.陶瓷件

5.多項(xiàng)選擇題表面活性較強(qiáng)的表面活性劑的性質(zhì)包括()。

A.濃度較低時(shí),能達(dá)到吸附飽和狀態(tài)
B.濃度較高時(shí),能達(dá)到吸附飽和狀態(tài)
C.濃度較低時(shí),有較強(qiáng)的表面張力
D.濃度較高時(shí),有較強(qiáng)的表面張力

最新試題

筒形或環(huán)形鍛件的鍛造工藝是先鐓粗,后沖孔,再滾壓。因此,缺陷的取向比軸類(lèi)鍛件和餅類(lèi)鍛件中的缺陷取向復(fù)雜。所以對(duì)這類(lèi)鍛件一般采用()進(jìn)行檢測(cè)。

題型:多項(xiàng)選擇題

按照受檢材料的相容性,可將滲透劑分為()滲透劑。

題型:多項(xiàng)選擇題

用半價(jià)層描述的某種能量的射線是指()。

題型:多項(xiàng)選擇題

標(biāo)準(zhǔn)試塊具有規(guī)定的(),這是標(biāo)準(zhǔn)試塊的基本要求。

題型:多項(xiàng)選擇題

當(dāng)障礙物尺寸Df< < 波長(zhǎng)λ時(shí),會(huì)出現(xiàn)以下()等現(xiàn)象。

題型:多項(xiàng)選擇題

屬于γ射線探傷設(shè)備的操作故障有()。

題型:多項(xiàng)選擇題

定影液在使用過(guò)程中定影劑不斷消耗,造成(),使定影速度減慢,所需的定影時(shí)間越來(lái)越長(zhǎng),此現(xiàn)象稱(chēng)為定影液的老化。

題型:多項(xiàng)選擇題

下列關(guān)于照射場(chǎng)的大小對(duì)散射比的影像的說(shuō)法,錯(cuò)誤的有()。

題型:多項(xiàng)選擇題

對(duì)底片進(jìn)行評(píng)定時(shí),首先對(duì)底片進(jìn)行質(zhì)量檢查,不滿(mǎn)足要求的底片不予評(píng)定,質(zhì)量檢查項(xiàng)目有()。

題型:多項(xiàng)選擇題

滲透檢測(cè)通常在()前進(jìn)行,表面處理后局部加工時(shí)需再次檢測(cè)。

題型:多項(xiàng)選擇題