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填空題在本征半導(dǎo)體中，自由電子濃度（）空穴濃度；在P型半導(dǎo)體中，自由電子濃度（）空穴濃度；在N型半導(dǎo)體中，自由電子濃度（）空穴濃度。

1.填空題齊納擊穿時的擊穿電壓約（）V，當反向擊穿電壓（）時，為雪崩擊穿。齊納擊穿具有（）電壓溫度系數(shù)，而雪崩擊穿具有（）電壓溫度系數(shù)。

2.問答題 電路如題圖（a）和（b）所示，各電容對信號可視為短路。

試分別判斷電路級間交流反饋的極性和類型。

圖（a）：電壓并聯(lián)負反饋
圖（b）：電流并聯(lián)負反饋

3.填空題在常溫下，硅二極管的門限電壓約（）V，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約（）V，鍺二極管的門限電壓約（）V，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約（）V。

4.填空題當PN結(jié)外加正向電壓時，擴散電流（）漂移電流，耗盡層（）。當外加反向電壓時，擴散電流（）漂移電流，耗盡層（）。

5.填空題在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取于（），而少數(shù)載流子的濃度則與（）有很大關(guān)系。